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第四章 异质结半导体激光器一.形成激光器的具备条件v有源介质有源层 谐振腔解理面 泵浦源 电流源直流交流-调制4.1 概述二.LD的分类依据有源层的结构、材料LD同质结LD异质结LD单异质结双异质结 块状材料(Bulk)(有源层由一种材料组成)量子阱(QW)(有源层由多层异质结组成)宽面LD条形LDSQWMQW 条形 依电极或有源层的宽窄划分 宽面 应变LD 依据有源区是否存在应变 无应变LDv1967年用液相外延生长出 异质结(单异质结)v1970年双异质结LD 条形LDv70代中期,DBF(分布反馈)、DBR(分布布拉格反射)、QW LDGaAsAsAlGaxx1
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