最新成果展示：p+-GaN SiO2 ITO隧穿结模型的开发与应用.docx

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1、最新成果展示：p+-GaNSiOITO隧穿结模型的开发与应用AlGaN基深紫外发光二极管（DUV1.ED）中具有高Al组分的p-A!GaN空穴注入层的掺杂效率较低，导致器件中空穴浓度以及材料的电导率降低，同时DUV1.ED中还存在电流拥挤效应，严重影响了器件光电性能。此外，蓝宝石衬底上的异质外延生长所产生的高缺陷密度还会引起漏电流的产生，而较高的空间电荷复合电流也会增大器件的理想因子。为解决上述问题，天津赛米卡尔科技有限公司技术团体设计并制备了一种具有p+-GaNSi2ITO隧穿结的发光波长为28Onm的DUV1.ED,如图1所示。由于Inm厚的SiCh层中隧穿区宽度减小，且电场强度增强，载流

2、子带间隧穿效率和相应的空穴注入效率得到了提高，并使器件获得了更好的电流扩展效应。空穴注入效率的提升也有助于降低器件串联电阻，因此器件的外量子效率（EQE）光输出功率和电光转化效率（WPE）均得到了提升，如图2所示。此外，p+-GaNZSiO2ZITO隧穿结中较强的电场使PN结分担较少的外加偏压，这有利于减小空间电荷复合/产生电流和扩散电流，降低DUV1.ED的漏电流。00180.02000220.024Relativeposition(m)图I.（八）1.EDA的器件结构示意图，（b）p+-GaN/SiO2界面处的TEM截面图，（C）1.EDA中p+-GaN/Sio2/ITO隧穿结的能带示意图O510152025303540Current(mA)510152025303540Current(mA)（八）EQE、光功率和(b)WPE；(c)1.EDR和图2.器件1.EDR和1.EDA的(d)1.EDA的发光强度分布图该研究成果最近被光学领域权威SCl期刊OPtiCS1.etterS(VoI.47,no.4,pp.798-801)收录,文章链接：https:/doi.org10.1364O1.448632o明“芯”理放“芯”行天津赛米卡尔科技有限公司是国内独立从事半导体材料设计、半导体器件工艺设计、半导体器件设计的第三方分析机构助力国内半导体芯片设计行业创新发展。