模拟电路入门知识点汇总.docx

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1、模拟电路入门知识点汇总1.在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V;错二极管的门槛电压约为0.1V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.2Vo2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。3、二极管的最主要特性是单向导电性。PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。6、PN结反向偏置时，PN结的

2、内电场增强。PN具有具有单向导电特性。7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7伏；其门坎电压Vth约为0.5伏。8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子。10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）半导体两大类。11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V。13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随频率连

3、续变化的稳态响应。14、本征半导体的载流子为电子一空穴对。15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的增加，则IBQ增大,ICQ增大,UCEQ减小。19、三极管的三个工作区域是截止，饱和，放大。集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路。20、某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压Va=1.2VxVb=0

4、.5V、Vc=3.6V,试问该三极管是硅管管（材料）,NPN型的三极管,该管的集电极是a、b、C中的C。21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB,则该放大电路总的对数增益为80dB,总的电压放大倍数为100OOo22、三极管实现放大作用的外部条件是：发射结正偏、集电结反偏。某放大电路中的三极管，测得管脚电压Va=-IVxVb=-3.2V、Vc=-3.9V,这是硅管（硅、镭），NPN型，集电极管脚是a023、三种不同耦合方式的放大电路分别为：阻容（RC）耦合、直接耦合和变压器耦合，其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号。24、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的负

5、载，而前级的输出电阻可视为后级的信号源的内阻。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带要窄。25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12k。的负载电阻后，输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为4kQ。26、为了保证三极管工作在放大区,要求：发射结正向偏置，集电结反向偏置。对于NPN型三极管，应使VBC1和K+F=n为整数。89、有用信号频率高于IoOOHZ,可选用高通滤波器。文氏电桥振荡器中的放大电路电压放大倍数Af23,才能满足起振条件。90、为了稳定电路的输出信号，电路应采用交流负反馈。为了产生一个正弦波信号，电路应采用正反馈。91、直流电源是将电网电压的交流电转换成直流电的能量转换电路。94、将交流电变换成脉动直流电的电路称为整流电路；半波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压（即变压器副边电压）有效值的0.45倍；全波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压（即变压器副边电压）有效值的0.9倍。96、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是输出取样电压。97、开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是调整管的的状态不同。98、小功率稳压电源一般由电源变压器、整流电路、滤波器、稳压电路等四部分构成。99、幅度失真和相位失真总称为频率失真。100.串联反馈式稳压电路由调整管、比较放大、基准电压、取样环节四部分组成。