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1、N沟道沟道P沟道沟道增强型增强型耗尽型耗尽型N沟道沟道P沟道沟道N沟道沟道P沟道沟道(耗尽型)(耗尽型)FET场效应管场效应管JFET结型结型MOSFET绝缘栅型绝缘栅型(IGFET)2.场效应管分类:场效应管分类:N基底基底:N型半导体型半导体PP两边是两边是P区区G栅极栅极S源极源极D漏极漏极结构结构:导电沟道导电沟道PN结结5.1.1 5.1.1 结型场效应管结型场效应管:P 沟道结型场效应管沟道结型场效应管DGSN沟道结型场效应管沟道结型场效应管DGS符号:符号:C CV VDSDSD DGSGS)(V(Vf fi iVVPGSDSGSPVVV VVPGSDSGSPVVV 21VvIi
2、PGSDSSDVVPGS0iDVVDSBRDS)(CVGSDDSVfi)(VVVTGSDS20020 mA/V51m g421010 1471010 GSDGSDN沟道沟道GSDGSDP沟道沟道R RI IV VD DG GS SDSDSDGSGSDDuuiuuii),(DSGSDuufi GSDmuigmgDSr1DDSDSiurRVgVVgsmgsi)1(RgVmgsLgsmoRVgVLdLRRR/其中RgRgVVAvmLmio1)/(g2g1g3iRRRRdoRR mA50.RURUISGSSDV5212DDGURRRULgsmgsLgsmiouRUgURUgUUA11LmLmRgRgiUoUgsUgsmUgdIriro ro gR2R1RGsdRLRS微变等效电路微变等效电路21/RRRrGiM0375.1输入电阻输入电阻 ri输出电阻输出电阻 ro加压求流法加压求流法mgsmgsdogUgUIUr1SooRrr/UIdIgd微变等效电路微变等效电路ro ro R2R1RGsRSgsUgsmUg