GB_T 15651.7-2024 半导体器件 第5-7部分：光电子器件 光电二极管和光电晶体管.docx

《GB_T 15651.7-2024 半导体器件 第5-7部分：光电子器件 光电二极管和光电晶体管.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《GB_T 15651.7-2024 半导体器件 第5-7部分：光电子器件 光电二极管和光电晶体管.docx（16页珍藏版）》请在优知文库上搜索。

1、ICS31.260CeS1.S3三中华人民共和国家标准(/T15651.72024半导体器件第5-7部分：光电子器件光电二极管和光电晶体管Semiconductordevices-Part5-7:Optoelectronicdevices一Photodiodesandphototransistors(IEC60747-5-7:2016,MOD)202-1实施2024-03-15发布国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会目次引力IV1范阳12规范性引用文件13术谱和定义I4光电二极管的基本额定优和特性95光电晶体管的基本额定位和特性106光敏;S件的测试方法12参考文献16半导体器件第5-7部

2、分：光电子器件光电二极管和光电晶体管1本文件规定了光电二极管（以下筒称mPDs）和光电晶体管（以下简称“PT1.）的术语、刘本额定依和特性以及测试方法.本文件适用于光电二极管和光电晶体管.2IHK性引用文件本文件没有规范性引用文件。3术语和定义下列术语和定义适用于本文件.3.1&1.1电碾辐射electromagneticradiation-radiationa）能fi以与光子有关联的电疏波的形式发射或传播.b）电磁波或光子.来源：GB/T29Q0.65-2001,845-Ql-Ol,有修改3.1.2光学制射ulicalrulution波长位于向X射线过渡区（nm）和向无线电波过渡区（A如Im

3、m）之间的电够辐射.来源：GB/T2900.65-2004,845-01-02&1.3可见辐射visibleradiation任何能够直接引起视觉的光学辐射.注：可蝴!,那J光谱范园没有明确的嬲.因为它取决于到达视网膜的辐射功率和观察者的响应度.卜限毅在360rm和400nm之间.上限在76Omn和830nm之间.来源：GBZT2900.65-2001,845-01-033.1.4tUHKHinfraredradiaticn被长大于可见幅射波长的光学用射.:来源：GB/T2900.65-2004,845H）1-O1,3.1.5jR外Ml射ultravioletradiation波长小于可见蒯射

4、波长的光学螭射.来S!：GB,2900.66-2001,a15-01-6,有修改）11.6光IiBhta）感知到的光：b）可见辐射.:bght词仃时在2）的含义上用于犷屐到可见区之外的光学猫射，但这种用法d罪符使!儿来源：GB/T2900.652004.&15-01-06.有修改3.1.7photoelectriceffect由于光与物质之间的相关作用，引起了光子的吸收，并随即产生可移动电荷找流干，因此产生电势或电流或电阻的变化.但不包括因温度变化而引起的某些电学说蟹.3.2 BMfl3.2.1半导体光敏SS件semiconductorphotosensitivedevice利用光电效应家探测

5、光US射的半导体耦件.12.2举光电子瞒semiconductoroptoelectronicdevicea）发射、探测或响应相广或II：相光物射的半导体器件：bl共内部工作机理与光学辐射有关的半导体器件.12.3光3MTPhotodiode在两种上导体之间的PN站区或在上导体与金WZ间的站区，吸收光辐射而产生光电流的一种光电探测器件.324光电晶体管Pbototransistor在共发射结网近，通过光电效应而产生电流（相当于基极电流），并能得到放大的一种晶体容，3.3 -*3.3.1光“opticalaxis位于主轴射能或况敏度分布中心的一条直线.注I：见困1.注2：除另行规定外，龙轴即为双

6、大辎射n出或坡大灵缺度的方向.X3.2（lHMJfeft）Jfc*opticalPart（MBiccoductoroptoelectronicdevic）以器件表面成外制某一平面为卷考面，用于描述发射器件发出或探测器件按收光轴射的几何结构，注I：制造商通过以下几何信息给出产品的几何结构,例如：发射或接收区助n定位、形状和尺寸；发射或接收角度：S3不需IUf的未封件的光学口X13Mt*cladding光学涂层Opiicalcladding光纤纤芯周阳的介侦材料.来源：IEC60050-731:1991,731-02-05有怪改3.414.1开关时间switchingtimes注r61.16.1.

7、7中提到的规定的下限值和/或上限使通常是指脉冲用度的IOM颂九图4是开关时间的图示,表明开郑响。规定的下限值和碳HMU间的关最a.4.1.l开量睡迟时同tum-ndelaytimeon）输入脓种前沿Mt定低电平与fi山味热前沿规定低电平之间的间隔时间.3.4.1.2riseti三t:输出脉冲前沿焜定低电平与规定高电平之间的间隔时间341.3tu11r-ontimKm输入脉冲前沿规定低电平与输出脉冲前沿规定高电平之间的间闲时间，由公式（1）表示。ur114reverse11entunderopticalradiationIROIR(e)在I：见图5.注2：如果在不会引起收义的情况下,用向n发小.

8、注3:在规格书中.-MfAiHUr和X为函BJ的Sil曲鳗.图5光纤臆入灵敏度3.i.2.8小信号截止频率，光电二极管small-signalcut-offfrequencyfixi/。输入辐照功率忸定的小信号调制深度，解调后的信号功率下降至其低频功率的一半时的频率，注；在测叱中，监视光电:极管的加除，粕射功率下降1/2根寸应的光电流使下阳/2,从而光电就在角式电阻上的压降也下降1/2（当负戌电阻小于光电二极管的粕出电用时）.3.4.2.9大信号截止频率，光电二极管）Iarge-SiBnalclffftvtecyfe.h对于输入加意功率恒定的大怡号调制深度情况.当频率高到一定值时,婚调后的信号

9、功率下降至其低翔功率的半时的频率.注：在测UX.监视光电二极管的光电流.辐射功率下降1/2相对陶的光电流便下降1.2从而光电流在负我电阻上的压降也下降1/2（当负，电阻小于光电二极管的输出电阻时）.3.1.2.10灵敏度图形，光敏器件sensitivitydiagram,种衣征灵敏度分布情况的图形，由公式（8衣示.S=ZW（）注1：见图6.注2：除另僦蜿外,灵物殳分布规定在个面内,这个ffi包括机械对山注3:如议收度图是相对z轴发转脑称的，灵敏度图仪规定一个平面,注4：如灵物时之轴不是旋转对称的，在图中煨定。珀，在洋纽I规衽中规定x、y、的方向.3.4.2.11半灵敏度角.光敏器件halfse

10、nsitivityangle0z在灵敏欧图中,灵敏度大于或等于披大值的一半所对应的角，注，见图6b）.3.4.2.12角偏去，光敏器件）misalignmentangle在灵敝度图中,最大灵假度方向（光轴）与机械轴X之间的夹角.注，见图6b）.3.4.213HJuuuft长，Peak-SCnsitiVitywavelengthP光谱灵敏度G大值所对应的波长。注：见图6.HB6员轴度图及相关带性4光电二领管的若本定值和带性以下额定做和特性应用于光电二极管（包含光纤系统和子系统）：a）类里环境额定或竹光额定二极管小信号或开关应用.b）半导体材料硅、碎化银、耨碑等.C）外形和封装细节1）引用的IEC

11、和（或）国家标准的外形图号：2）时装形式：玻血/金属/!B科/其他：3）引出箱识别和引出端与管无之间的任何连接的标记.d）在胫个温度皿围内的极限ttl（绝对最大海定的）（除另有规定外）1）破低和城高贮存温度（T）：2）Ja低和坂高环境涵度或管无温度（Tamb或T）：3）用高樨接部度（Ts）;4）用大反向电Hi（VgX5）当适用时I一在环境用度或管光温度251时的破大耗战功率（pxo）;25匕以上的降趣曲线或降额系数（Kt）.e）光电特性光电二极管的光电特性见表I.1光电二M的光电抬性抬性条件除另仃理定外，TnT-25V符号要求WlS下的反向电波Vr版定EydtE.规定-R（三）盥Ike)城小值

12、-峰电淹Yr规定.E.=0IkJR-值暗电Jft“设定，E0,在*定的町汹条件卜.埃班定Tanb或Ic05(kMAfft物适用时.ftxftVR加尔.E.媒定，规定个短波X和长波S最小值-开关酎网（当运用时）：上升时间和F降时间或开启时间和关斯时间规定电蕉Mi定VMft,规定负或E规定电源.WVR（ft.WEvrftE.trtrtIXltoffJ11JR-值J11J11标准赚度条件A（根IKIECM306-】）的科技灯.我给定的个色温2肮5.6K的书单色无源（0补充资料1）典蟹灵敏度图；2）典型光谱图：以图形方式表示相对光谱灵敏度与波长的关系图.5光电体的基本值和特性以下颔定位和特性应用于光电

13、晶体管（包含光纤系统和子系统）：a）类型环境额定或管光额定二极管小信号或开关应用。b）半导体材料硅等。C）极性NPNPNP,d外形和封装细节D引用的IEC和（或）国冢标准的外形图号：2）封装形式：玻璃/金/，盟科/其他：3）引出端识别和引出端与管光之间的任何连接的标记。O在整个温度范幅内的极限ft（绝对最大制定色）（除另有规定外）D最低和最高贮存温度（TS）:2）以低和址商环境温度或管壳温度（Tamb或Ta）;3）最高集电极发射极电压，基极电流为CI（VeEOx4)若无具他瞅外连接：最大集电极-基极电压，发射板电流为O(VCa0);我大发射极域极电压,集电极电流为O(Vrmo),5)若无其他做外连接I一一蚁大集电极-基极电乐(VEc。)；最大连续集电极电流Uc),6)当适用时：一在环境温度或管光温度25C时的最大耗敢功率(pu);25匕以上的降歆曲线或降微系数(K).f)光电特性光电晶体管的所用光电特性见衣2.2光电体的光电特性特性条件除另有设定外，Tanb或T=25XJ符号要求郁