新一代信息技术：半导体先进封装专题报告.docx

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1、新一代信息技术：半导体先进封装专题报告周期复盘：封测底部上扬，先进封装占比逐年走高周期复盘I半导体周期底部已筑，开启新一轮上升通道半导体行业与社会经济发展关联性高，具有较强的周期性。根据SIA数据和WSTS对全球半导体销售额统计，从2021年底开始，由于疫情、地缘政治和通货膨胀等影响，半导体进入下行周期，直至2023年底，随着消费电子逐渐复苏、算力建设投入加大，工业、汽车等赛道有望带来新的增长点，行业底部已基本确认，将进入上升复苏通道，预计2024年将有超10%以上的同比增速。周期监控I封测板块可作为监测半导体周期属性的重要指标半导体封测环节是监测半导体周期属性的重要关口：封测产业处在半导体产

2、业链的下游，主要作用为对半导体芯片进行封装、测试与检测，属于资本密集型和人工密集型，直接对接下游终端，因此下游应用和需求变化将直接影响封测行业的技术路线和稼动率，二者之间存在强大的联动作用与配合机制。因此，与前道晶圆端一样，后道封测产业也是监测半导体周期的重要指标。周期监控I封测板块具有较强周期属性，底部已出现上扬半导体周期底部已筑，封测板块出现上扬：根据WSTS数据，2015年至今，拟合全球半导体销售同比与A股三家封测龙头和中国台湾封测收入同比可看出：封测销售与全球半导体销售呈现较强的一致性，因此可作为监测半导体周期属性的重要指标。2023年11月，全球半导体销售收入同比已出现正增长为5.3

3、%,呈现上扬趋势，可见当前半导体周期和封测周期底部已筑，预计2024年即将开启新一轮上涨。市场占比|后摩尔时代，先进封装重要性凸显，占比将于25年超过50%后摩尔时代”，随着集成电路工艺制程的越发先进，对技术端和成本端也均提出了巨大挑战：技术端驱动：2015年以后，集成电路制程的发展进入了瓶颈期，7nm、5nm3nm制程的量产进度均落后于预期。随着台积电宣布2nm制程工艺实现突破，集成电路制程工艺已接近物理尺寸的极限，集成电路行业进入后摩尔时代。成本端驱动：根据国际商务战略公司IBS调查数据显示，从22nm往后的工艺制程，每一代的总成本支出的增长率均超过50%。7nm工艺制程的总成本约为3亿美

4、元，5nm则更高将近5.5亿美元。对产品开发而言，产品进入到大规模量产前需多次流片脸证，因此所带来的费用支出呈倍数增加。根据TTP预测数据，全球先进封装在集成电路封测市场中所占份额将持续增加，预计2025年占整个封装市场的比重接近于50%o竞争格局：台积电等龙头领先，国内厂商产业链完善技术发展I先进封装形式百花齐放：2.5D转向3D,高端封装前道厂商领先后道半导体封装技术的演进，推动着集成电路的发展，目前传统封装已相当成熟，正经历着2.5D封装到3D封装的转换。3D集成和2.5D集成的主要区别在于：2.5D封装是在中介层Interposer上进行布线和打孔，而3D封装是直接在芯片上打孔和布线，

5、连接上下层芯片堆叠，相对来说，3D封装要求更高，形式也更多样。先进封装技术发展最明显的特征就是更精细化，因此晶圆端前道厂商技术领先后道厂商，台积电、英特尔和三星等厂商在3D封装已有突破，而日月光、长电科技等传统封装厂商则在2.5D封装布局。技术发展I细化到关键技术节点，TSV/BUMP/RDL等更精细化进一步细分到先进封装的关键技术节点，不同的封装形式有不同的判断标准。一般来说区别各家封装厂3D封装技术能力的好差标准之一是TSVDiameterI/OPitch、RDL-LS的精度等。根据YOle统计，目前一般先进封装BUmPI/OPitch大约在50Um左右，3DStackPitCh约IOUn

6、I左右，预计到2029年将突破5um。3D高端封装里TSVDiameterW2W(WafertoWafer)约为1.5-2um,预计26年后最细至IUm;BondPitchW2W约0.8-1.Ium,预计26年后最细至0.5UnKWaferThicknessW2W约1520um,预计26年后可至IOumo竞争格局I高性能先进封装技术被全球头部封测企业掌控高性能封装技术主要包括：超高密度扇出封装(UItra-highdensityfan-out,UHDFO）、2.5Dinterposer3DstackedmemoriesembeddedSibridge和hybridbonding,其关键技术基本

7、掌握在世界头部封测企业（OSAT）、先进的晶圆代工厂和IMD手中，如长电科技、日月光、安靠、台积电（TSMC）、三星（SamSUng）和英特尔（InteI）等。先进半导体封装的参与者非常多，其解决方案涵盖（超）高密度扇出（有机中介层）、3D片芯堆叠、2.5D硅中介层、2.5D嵌入式硅桥、3D堆叠存储器等几大类。龙头代工厂及其解决方案当然还是台积电（InFO,集成扇出）、日月光（FOCoS,芯片后装的基板上扇出芯片）、三星（2.5DRDL（再分布层）、AmkorTechnology（S-SWIFT,高密度扇出线）等。国产替代I国内半导体头部大厂布局发力先进封装长电科技XDFOI技术：公司XDFO

8、I技术为2.5D超高密扇出型封装，可将不同的弄能器件整合在系统封装内，对集成度和算力有较高要求的超算领域，如FPGA、CPU、GPU、Al和5G网络芯片等方面应用较多，将推动信息技术的高速发展。通富微电VISiOnS技术：公司VISionS为基于超算的2.5D/3D先进封装技术，可实现多层布线技术开发，将不同工艺不同功能的ChiPIet芯片进行高密度集成，可为客户提供晶圆级和基板级封装解决方案。在HBM等存储方向布局，已完成堆叠NANDFIaSh和LPDDR封装的量产，其3D存储封装技术国内领先。华天科技3DMatrix技术：公司3DMatrix技术集成了TSV.eSiFo（Fan-out）、

9、3DSIP等三大先进封装技术，是ChiPIet高度集成的重要技术之一。TSVeSiFo3DSiP三大基础技术，均为公司特色工艺，其中Fan-OUt技术为硅/基板上刻蚀挖槽，将芯片正放置凹槽内，在芯片表面与硅/基板表面形成扇出连接，再进行RDL布线与封装。长江存储XtaCking技术：与传统并列式架构和CUA（CMOSunderArray）架构不同，公司晶栈XtaCking3DNAND架构可实现的金属通道连接达数十亿根。芯片堆叠层数增加的同时，能够带来存储容量的扩大，可大大提升芯片性能。驱动端：BIS抵制&海外厂扩产倒逼国内先进封装发展美国制裁I美国BlS制裁&华为荣耀陆续申请封装专利，重要性不

10、言而喻美国BIS制裁剑指先进封装：2023年10月17日，美国商务部工业和安全局（BlS）公布新的先进计算芯片、半导体制造设备出口管制规则，意在限制中国发展高端芯片的能力，并将于11月16日正式生效。11月21日，美国宣布了国家先进封装制造计划（NAPMP）项目，投资方向包括：材料和载板，设备、工具和流程，电力传输和热管理，硅光通信和连接器，Chiplet生态系统，测试、可靠性、安全性方面的ChiPIet共同开发。此举将在后道封装端抑制中国大陆发展高端高性能芯片，尤其是先进封装领域。资本开支I美韩台等头部封测企业在资本开支和高端封装技术上保持领先英特尔/台积电/三星等头部大厂封装资本开支排名靠

11、前：介于下游行情复苏缓慢，叠加地缘政治等因素，2023年各大封装公司对资本支出持谨慎态度。根据YOle统计，2023年全球前九名封装资本支出预计将为120亿美元，分别为Inter/TSMC/Samsung/ASE/Amkor/TFME/JCET/TianshuiHuatian/PTI,整体支出较上一年下降17%,其中中国大陆封测三强通富微电/长电科技/华天科技分别排6/7/8名。HBM高端先进封装领域三星/美光/海力士保持领先：根据YOle预测，到2024年底，HBM3+封装将采用混合键合技术堆叠16个芯片，预计2025年初铠侠将发布采用混合键合技术的3DNAND堆栈存储器，此后不久，美光、S

12、K海力士和三星随后加入进程。大厂扩产AI带动COWOS、HBM及ChiPIet等先进封装扩产潮台积电不断增加COWOS产能：当前Al芯片异常火爆，将推动CoWoS先进封装需求激增。根据台湾经济日报，此前英伟达已在23年10月加大订单，苹果、AMD、博通、MarVell等国际头部客户同时大幅追单。台积电为应对上述五大客户需求，不断加快COWOS先进封装产能扩充，预计24年月产能将比原目标再增加约20%达3.5万片。三星扩HBM产能：当前DRAM芯片销量回暖，三星电子为了扩大HBM产能，收购三星显示(SamsungDisplay)天安厂区内部分建筑及设备用于HBM生产。此外三星预计追加投资7000

13、亿-1万亿韩元，可见三星对扩大HBM产能的决心。SK海力士投资升级HBM的TSV先进封装技术：据韩国经济日报及BusinessKorea消息，全球第二大内存芯片厂商SK海力士预计Al将带动行业需求好转，2024年将预留约10万亿韩元(约合76亿美元)的DRAM设施资本支出，其用途主要在：一是为高附加值DRAM芯片扩建设施，包括HBM3、DDR5及LPDDR5;二是升级HBM的TSV（硅通孔）先进封装技术。TSV供应链|TSV、RDL等先进封装技术均对设备和材料提出较高要求先进封装的关键技术TSV:TSV（Through-SiliconVia,硅穿孔）技术通过铜、鸨、多晶硅等导电物质的填充，实现

14、硅通孔的垂直电气互联。TSV可以替代WB和FC技术，是芯片小型化的必经之路，是目前唯一的垂直电互联技术，是实现3D先进封装的关键技术之一。制备TSV技术的设备和材料将受益：TSV技术制备的核心关键步骤主要为从先把硅通孔形成（即孔刻蚀），然后沉积绝缘层或阻挡层，接着生成铜晶种沉积，最后进行电镀，因此制备TSV技术涉及的半导体封装设备和材料领域包括光刻机、涂胶显影、刻蚀设备、清洗设备、键合设备、CMP等。国产替代：产业链国产化率偏低，设备&材料前景广阔封装设备I半导体封装设备国产化率整体偏低，国产替代空间广阔半导体封装设备市场规模稳步增长：半导体封装设备市场下游主要为封装测试企业、部分晶圆制造企业

15、和芯片设计企业，其中以封装测试企业为主。根据SEMl数据，除2019-2020年受中美关系摩擦影响出现短期波动，全球半导体封装设备市场规模整体呈稳步增长态势，其中2022年市场规模约为78亿美O封装设备I国内先进封装设备链全面发展封装设备分别有固晶机、键合机、曝光机、点胶机、划片机、测试机、分选机、探针台等，国际厂商如DISCO在划片机、减薄机等领域占据大部分份额，K&S在贴片机、键合机等领域占据主导地位。随着国内封测代工三强进入全球前十，推动国内半导体封装设备的发展，如光力科技，在划片机领域处于国内龙头地位。随着先进封装占比逐渐走高，国内半导体封装设备将不断受益。封装材料I国内封装材料企业细分方向多点开花半导体封装材料种类繁多，中高端正突破：半导体封装材料主要有ABF载板、环氧树脂、电子化学品、掩膜版、封装胶带等，当前Al需求爆发，高性能运算是封装材料发展的主驱动力。从竞争格局来看，半导体封装材料领域，美国和日本基本主导着整个材料市场，如味之素、杜邦、JSR,住友化学等。国内厂商起步较晚，需要长期的技术积累和产业协作开发，目前正向中高端迈进。