硅衬底白光功率发光二极管芯片详细规范_SJT11869-2022.docx

《硅衬底白光功率发光二极管芯片详细规范_SJT11869-2022.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《硅衬底白光功率发光二极管芯片详细规范_SJT11869-2022.docx（24页珍藏版）》请在优知文库上搜索。

1、ICS31.080CCSL53中华人民共和国电子行业标准SJ/T118692022硅衬底白光功率发光二极管芯片详细规范Detailspecificationforwhitepowerlight-emittingdiodechipsonsiliconsubstrate2022TO-20发布2023-01-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布目次前言I引言II1范围12规范性引用文件13术语和定义14要求15检验方法36检验规则47包装、运输、储存8附录A（规范性）硅衬底白光功率发光二极管芯片结构10附录B（规范性）硅村底白光功率发光二极管芯片外观检验12本文件按照GBL12020标准化工作导

2、则第1部分：标准化文件的结构和起草规则的规定起草。本文件是LED芯片系列标准的一个部分，该系列已出版了以下几个部分:-GB“363562018功率半导体发光二极管芯片技术规范；GBZT36357-2018中功率半导体发光二极管芯片技术规范；SOT 114862015小功率LED芯片技术规范。 请注意本文件的某些内容可能涉 本文件由中华人民共和国 本文件由中国电子技力 本文件起草单位：有限公司、惠州宙: 春希达电子技术 子协会、中国i 仲恺高新区L本文件 继、王琼、构不承担识别专利的责任。刚、洪震、成森匕电产业联盟。彭翔、封波、羊、陈赤、吴左司、中节能晶和科技有三思电子工程有限公司、深圳市洲、广

3、州赛西标准检测研究院有限公司、公司、深圳市长方集团股份 汽车照明有限公司、长 公司、中国光学光电 监督检验院、惠州硅衬底LED芯片系列详细规范规定了硅衬底LED系列芯片的技术要求、检验方法、检验规则等,为硅衬底LED芯片产品的测试、评价等提供适当的依据。硅衬底白光发光二极管芯片详细规范是LED芯片系列标准的一个。该系列主要规定了硅衬底蓝光功率发光二极管芯片、硅衬底白光功率发光二极管芯片和硅衬底蓝光小功率发光二极管芯片的基本额定值和特性、测试方法、质量保证规定等内容，该系列标准包括： 硅衬底蓝光小功率发光二极管芯片详细规范； 硅衬底白光功率发光二极管芯片详细规范； 硅衬底蓝光功率发光二极管芯片详

4、细规范。硅衬底白光功率发光二极管芯片详细规范1范围本文件规定了硅衬底白光功率发光二极管芯片的详细要求，包括芯片结构、性能要求，检验方法, 检验规则以及包装、标志、运输和储存等。本文件适用于硅衬底白光功率发光二极管芯片。242W4t规范定的及下列术语和定义适用于本文件。GB/1 SJ/T SJ/T忌候试验方法饕S 候试验方法20IX2018909功试验、:电路总仙分：总M分：芯部分:06半-20182018衣面涂覆荧光粉,i解分：分立器件2规范性引用文件下列文件中的内容遹文 仅该日期对应的版二F、注日期的引用文件，I.其中,注日期的引用文件, 有的修改单）适用于本文件。GB/T 环）GB/T G

5、B/T GBZT GBZT GB GB3术语和产品环境试验第2部分：试验方法i金褊2部分：试验；施006渔器件机械和，候试脸方法GB/T 37 3.1硅衬底白光在紫光或蓝光的浮木 片”）。ItC power light-emitting diode4要求湿热（12h+12h循substrateJLED芯片（以下简称“芯4.1 总则芯片应符介GB“363562018和本文件的要求，本文件与GB/T363562018的要求不一致时,应以本文件为准。4.2 材料和结构4.2.1 材料芯片满足GB/T363562018的规定，表面的荧光粉是芯片的一部分。4 .2.2外形尺寸外形为正方形，尺寸见附录A。

6、5 .2.3键合区键合区的大小和位置见附录Ao4.3 外观质量芯片的外观质量应符合附录B的规定。4.4 绝对最大额定值和特性4.4.1绝对最大额定值绝对最大额定值见表1。表1绝对最大额定值序号参数符号数值单位最小值最大值1贮存温度7-4085C2工作环境温度Tamb-4085C3结温Ti一.150C4焊接温度（最长焊接时间）Trid30520PS5Tg=25C下的直流正向电流If,1500m6Tgb=25C下的峰值正向电流（规定的脉冲条件下）Zfm.一；.2000mA7反向电压Fr5V8岸电敏感电压FfeSD300.V4. 4.2光电及色度特性芯片的正向电压、光通量、反向电流、相关色温和色品坐

7、标等参数要求见表2。表2光电及色度特性序号特性符号条件除非另有规定Jb=25C数值单位最小值最大值1正向电压VrQ350mA（典型值）2.63.1V2反向电流JRFr=5V一1JlA3光通量yf=350mA（典型值）80Im4相关色温CCTfr=350mA（典型值）220018000K5色品坐标（,y）K350mA（典型值）4.5环境适应性4.5.1键合强度将芯片粘接或共晶焊在合格的封装支架上,采用熟压焊或超声焊的方式进行键合后进行键合拉力试验，用于键合的铝线直径为1.25mil,金线直径为0.8mil-1mil,键合拉力应符合表5的规定。（Imil=O.0254mm）将芯片粘接或共晶焊在合格

8、的封装支架上，进行剪切力试验，芯片剪切强度符合GB/T4937.192018的规定，金球剪强度符合GBfr4937.222018的规定。4.5.3温度循环将芯片粘接或共晶焊在合格的封装支架上，在高温85保持30min和低温-40保持30min的条件进行200个周期循环试验后，其性能参数满足表6的要求。4.5.4循环湿热将芯片粘接或共晶焊在合格的封装支架上,在高温85和相对湿度85%条件下进行168h试验后,其性能参数满足表6的要求。4.6后,4.7感度试验后，其性能参数符合5检验方法除另5.1.2 加2006。设规定的条件和方法进行试验.进行探针测试时,113992009 中电耐久性5.1.3

9、试缝所有545%将芯片粘接或共晶焊在合 其性能参数满足表5的方式键介引线，加电工作168h 表6的规定。静电敏感电压芯片进行人做5.1测试翎75. 1. 1 标按 GB/V 4按 GB/T 44.1的规定进行：a）探针台尺b）表面材质:c）表面温度:5.2结构按GBb 363562018的4. 2规定，对照本文件附录A进行.5.3外观质量按GB/T36356-2018的规定进行外观质量检验，包括芯片缺损、电极刮伤、荧光粉脱落、电极金属缺失、金属残留、荧光粉遮挡电极、污染、排列不齐、双胞等项目，具体依据见附录B。5.4光电和色度特性5.4.1正向电压按SJ/T113942009中方法1001.5

10、.4.2反向电流按SJ/T113942009中方法1003.1.1.3 光通量按SJZr113942009中方法20031.1.4 相关色温按SJ/T113942009中方法4004。1.1.5 色品坐标按SJ/T113942009中方法4002.5.5 环境适应性1 .5.1键合强度将芯片固定在合格的封装支架，然后在150OC下烘烤1.5h2.5h,后采用热压焊的方式进行键合，金球键合时温度为160P,键合压力30g70g,键合时间8ms12ms,键合拉力试验按GB4937.222018的规定进行。2 .5.2剪切力按GBZT4937.192018的规定的方法进行芯片剪切强度试验，按GIVr

11、4937.222018的规定的方法进行金球剪切强度试验。5 .5.3温度循环对芯片采取必要的措施，在-40保持30min,升温40min至85。C并保持30min,后降温I5min至-40P,循环200个周期，温度循环试验按GBb2423.222012的规定进行.6 .5.4循环湿热芯片在高温85和85%相对湿度条件下进行168h试验，循环湿热试验按GB/T2423.4的规定进行。5.6 电耐久性按GB/T4589.12006的3.10.2的规定，施加规定正向电流，分别进行168h和IOoOh的电耐久性试验。5.7 静电敏感电压按SOT11394-2009中方法6001进行人体模式进行静电放电

12、敏感度分级试验。6检验规则6.1 通则芯片的检验规则应符合GBn363562018中的第5章检验规则和本文件的规定。6.2 检验分类本文件规定的检验分为：a）筛选（见6.6）；b）鉴定检验（见6.7）；c）质量一致性校验（见6.8）。从晶圆加工开始经受同一组工艺过程的晶圆构成一个晶圆批次。每个晶圆批次应给定一个能追溯到所有晶圆加工步躲的识别代码。6.3.2检验批一个检验批由同时提交检验的一个或多个晶圆批中同一型号的芯片组成。6.4 抽样鉴定检验和质量一致性检验的抽样应按本文件的6.7和6.8规定进行。6.5 重新提交J缺陷；或者该失效并不反映产品具有加严检验（按双倍样品量及合格 的批相混。如果

13、失效分析表 的缺陷，则该批不得重新筛选序号法堂条号条件抽样要求.2光学显微外观不50 mA (典3-1. 76.7鉴定检验a) b)C) d) e)6.6筛选当提交质量一致性检验的任一检验批不符合要求时，应进行失效分析并确定失效机理。如确认6. 7.1检验条件该失效是可以通过对整批晶圆的芯片更 基本设计或基本生产工 判定数为零的方案）的为 明失效是由于基本工 提交。5. 4. 45.4.514色温Ce色:品豫标（x,y）才剔除不合格:向电压向电流在提交鉴废 上进行,对彳5批的全部芯片A选，筛选可在晶圆M合格产品交货。100%100%100%在下列情况之一时E6. 7.2新产品定型鉴定时】 正常

14、生产时，每年需要i 原材料、工艺等发生较大变化，产品停产6个月以上恢复生产时；国家质量监督检验机构提出鉴定检验要求时。样品数量与检验方法提交鉴定检验的样品数量与检验方法应按表4、表5和表6的规定进行。6. 7.3合格判定受检验样品其性能应符合本文件表4、表5、表6中的所有要求，方为合格，否则为不合格。6.8质量一致性检验6.8.1通则每一检验批的芯片在交付前应按本文件的规定进行质量一致性检验。质量一致性检验包括A组、B组和C组检验，A组和B组为逐批检验，C组为周期检验。在C组检验合格的周期内，A组、B组检验合格的批可以交付，在C组检验不合格的情况下应停止交付，待按6.5规定对C组重新检验合格后方可恢复交付。6.8.2A组检验从筛选合格的检验批中随机抽取芯片，按表4的规定进行A组检