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1、ICS33.180CCSM33中华人民共和国电子行业标准SJ/T11856.12022光纤通信用半导体激光器芯片技术规范第1部分：光源用法布里-泊罗型及分布式反馈型半导体激光器芯片SpecificationforsemiconductorlaserchipusedinopticalfibercommunicationPart1:Fabry-Perotanddistributedfeedbacksemiconductorlaserchip2023-01-01 实施2022-10-20发布中华人民共和国工业和信息化部发布IIIIV表面检验分类 筛选.测试环瑜条 测试仪； 物理特性.、. 环境适应性
2、出厂检验术语和定义缩略语技术要求.555555555555512345678910111213分类光电特M检验方法6.16.26.46.5检验规则7.17.21233366666666666777888 897.37.4型式检验前言引言范围规范性引用文件8包装、标志、产品说明书和贮存118.1 包装118.2 标志118.3 产品说明书118.4 贮存1111其他12附录A（规范性）波长分配表本文件按照GB1.1-2020标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则的规定起草。本文件是SJ11856光纤通信用半导体激光器芯片技术规范的第1部分。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的
3、发布机构不承担识别专利的责任。本文件由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。本文件起草单位：武汉光迅科技股份有限公司、中国电子技术标准化研究院、华工正源光子技术有光纤通信用半导体激光器芯片作为光通信模块的核心、基础组成部分，为光通信产业规模化发展和产业运行安全提供重要保障。开展光通信芯片的标准制定工作，统和规范光纤通信用半导体激光器芯片的关键参数,有利于推动我国光通信相关产业链规范化发展,及时满足光通信网络快速规模部署需求。SJ/T11856旨在规范光纤通信用半导体激光器芯片的术语和定义、缩略语、技术要求、可靠性要求、测量和试验方法、检验规则、包装、标志、产品说明书和贮存等。由于不同芯片的应
4、用场景，工作机理和技术参数等存在较大差异，因此制定本系列标准，拟由五个部分构成。 第1部分：光源用法布里-泊罗型及分布式反馈型半导体激光器芯片。第2部分：光源用垂直腔面发射型半导体激光器芯片。 第3部分：光源用电吸收调制型半导体激光器芯片。 笫4部分：光源用布拉格反射器可调谐半导体激光器芯片。 笫5部分：单模泵浦半导体激光器芯片。光纤通信用半导体激光器芯片技术规范第1部分：光源用法布里-泊罗型及分布式反馈型半导体激光器芯片1范围本文件规定了光纤通信用法布里-泊罗型及分布式反馈型半导体激光器芯片（以下简称“芯片”）的术语和定义、缩略语、分类、技术要求、检验方法、检验规则、包装、标志、产品说明书和
5、贮存等。本文件适用于IOGbaud（NRZ）2-泊罗激光二极管（FP-LD）和25Gbaud （PAM4）光纤通信系统中法布里:验抽样计划和贮存指8和CCtraI widthHtc (nm)SJ/T150150172018殂按接收质量四坪导体激光器Ide suppression ratio%率峰值强度与最大边模光功率峰值强度文件；不注日期的引用文件，其最新版本/L)方法法性试验方法操作始力柒工模取做更阳2规范性引用文件下列文件中的仅该日期对应的文件。GB2GBGB/TGBZTGBGB勺规范性引用而构成本文件必不,注日期的引用文件, 的修改单）适用于本3术语GB3.1边模抑制激光器光i3.20度
6、(dBm)*均方根谱宽It激光器发射光谱夕3.3-20dB谱宽-20dBSpcctralwidth比峰值波长幅度下降20dB处光谱曲线上两点间的波长间隔，示意图参见图2。3.4调制带宽bandwidth激光器的频率响应从直流点到3dB频率点的宽度。3.5正向电压forwardvoltage在规定的正向电流下激光器两端的压降。3.6相对强度噪声relativeintensitynoise功率波动的单边频率谱密度,归一化为基于频率的平均光功率平方的函数,符号为RW。见公式(1)。rin=spRp:(1)式中：AP均方根强度噪声；Po平均光功率。4缩略语下列缩略语适用于本文件.AQL接收质量限(Ac
7、ceptanceQualityLimit)CWDM粗波分复用CoarSeWavelengthDivisionMultiplexing)DFB分布式反像(DistributedFeedback)ESDS静电放电敏感度(EleCtrOStatiCDiSChargeSenSitiVity)FP法布里泊罗(Fabry-Perot)1.D激光二极管(LaserDiode)1.TPD批允许不合格品率(LotToIeranCePerCentDefeCtiVe)1.WDM细波分复用(LANWaVeIengthDiViSiOnMUltiPIeXing)MWDM中等波分复用(MediUmWaVeIeJlgthDi
8、ViSiOnMUItiPIeXing)NRZ非归零(NonReturntoZero)PAM44电平脉冲幅度调制(4-LeVelPulseAmplitudeModulation)RMS均方根谱宽(ROotMeanSqUare)5技术要求5.1分类芯片按照结构可分为:FP；DFB。5.2光电特性5.2.1绝对最大额定值芯片绝对最大额定值见表1。绝最大值参数名称反向电压正向电流150贮存温度851310光电技术4应用下芯J学片的3渴L工作蒯L长应冬番【术指标特t理2.工作温度由85oC的1310nr。C7C芯片光PnmDFB芯片，见表4。波分可。JVQ),*Ki最小值JM三u/J*l单位号A输出阜鲁
9、.慈:祗运三遂必备-J6/E/mWJ6/O/mW85,三A+20m4/1*mW阈值电流-40,/、卜mA25,一/15mA85P30mA斜率效率弋FOJF一WZ0.3一W/AV晶/0.2一W/A中心波长-40,A=Ah+20InA12601325nm25,=*+20mA12601325nm85,Kk+20mA12601350nm均方根讲宽(RMS)Z11m-40C,=+2011iA6.0nm25,A=Ah+2OmA一6.0nm85,A=Ah+2OmA一6.0nm正向电压Ff25,A=20mA一1.4V带宽IoGbaUd(NRZ)BW25,A=Z+20i11A8GHz表3131OnmDFB芯片光
10、电技术指标(TC7(C)参数符号检验条件最小值最大值单位输出功率P0,=Ah+20m4mW25,+20mA4mW70,fr+20mA3一.mW阖值电流h015mA25一15mA7035m斜率效率q0,M122GmA0.2W/A25,A=a+20mA0.2W/A70,A=7+2OmA0.15W/A中心波长40,东t+20mA12901330nm25,A三+20m12901330nm中心波长L70,=A+20mA12901330ntn边模抑制比SMSROP,A=+20mA30dB25,/rit+20mA30dB70oC,It=IMQmA30dB光谱宽(-20dB)0,AfZa+20mA1.0nm2
11、5,KA+2OmA1.0nm70,A=,+20mA1.0nm正向电压Vf250C,A=20m1.35V相对强度噪声RlN25,fa+30mA,-128dB/Hz制宽调带10Gbaud(NRZ)BW25,A=Ah+3OmA8GHz70,FA+30InA8-GHz25Gbaud(NRZ)25,依l+30mA18GHz70,*+30mA16GHz25Gbaud(PM4)25,fr=+30mA20一GHz70,A三+30mA17GHzLWDM应用下光谱宽为0.6nm.表4131OnmDFB芯片光电技术指标(-40*C-85*C)参数符号检验条件最小值最大值单位输出功率P-40,fa+20mA4mW25
12、,A=h+20mA4mW85,KAh+20mA2.4mW阈值电流Ah-4010m2510mA8535mA斜率效率n-40,f=Ah+20mA0.2一W/A25,A*=+20mA0.2W85,A=+20mA0.12W/A中心波长Xc-40,=7+20mA12901330nm25,KAh+2OmA12901330nm85C,A=m+20m12901330mn边模抑制比SMSR-40oC,fr1,+20mA30dB25C,rm+20mA30dB85,A=+20mA30dB光谱宽(-20dB)-40oC,7f20mA1.0nm25oC,-l+20mA1.0nm85,rh+20mA1.0om正向电压f25,fr=Ah+20m
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