肖特基二极管内部结构.docx

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肖特基二极管内部结构肖特基二极管（SChOttkyDiode）是一种特殊的半导体二极管，其内部结构与常见的PN结二极管有所不同。以下是肖特基二极管的基本内部结构：1 .阳极金属：这是肖特基二极管的一个关键组成部分，通常选用具有高导电性的金属材料，如银、铝、钻等。阳极金属与半导体材料形成肖特基势垒，从而控制电流的流动。2 .半导体材料：肖特基二极管通常采用N型半导体材料，如硅或错。半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间，其特点是具有负电阻率，可以用来制作高效整流器。3 .阴极金属：阴极金属通常选用导电性能良好的材料，如铜、银等。与阳极金属相对，阴极金属与半导体材料接触形成另一侧的肖特基势垒。4 .电场消除材料：在某些情况下，为了提高二极管的耐压性能和降低反向漏电流，还会在阳极金属和半导体材料之间加入一层电场消除材料，如二氧化硅（SiO2）。这层材料可以消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。肖特基二极管的结构特点使其在正向导通时具有较低的电压降（约0.45V）,反向恢复时间短和开关损耗小等优点。这些特性使得肖特基二极管在高速、低功耗的电路中得到广泛应用。