第3章双极晶体管4.ppt

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1、3.4 晶体管的反向特性及基极电阻l反向截止电流：增加器件的空载功耗，对放大无贡献，越小越好l击穿电压：反映晶体管耐压能力，越高越好l基极电阻：增加器件功耗，越小越好3.4 晶体管的反向特性及基极电阻 3.4.1 晶体管反向电流一、定义晶体管某二个电极间加反向电压，另一电极开路时流过管中的电流称其晶体管某二个电极间加反向电压，另一电极开路时流过管中的电流称其反向电流反向电流。1、IEBO：集电极极开路，发射极与基极间反偏，流过发射结的电流。2、ICBO：发射极开路，集电极和基极间反偏，流过集电结的电流。3、ICEO：基极开路，发射极和集电极间反偏，流过发射极和集电极的电流。IVIeboIVIc

2、boIVIceo 3.4 晶体管的反向特性及基极电阻AninDpipnpnpnpNLnqDNLnqDLnqDLpqDJ22000TkEvcigeNNpnn022/100)(反向电流由工艺与材料决定，与工作温度相关反向电流由工艺与材料决定，与工作温度相关3.4 晶体管的反向特性及基极电阻 3.4.2 晶体管反向击穿电压晶体管某一极开路，另二极之间所能承受的最大反向电压即为晶晶体管某一极开路，另二极之间所能承受的最大反向电压即为晶体管体管反向击穿电压反向击穿电压BVebo：集电极开路 发射极基极间 反向击穿电压BVcbo：发射极开路 集电极基极间 反向击穿电压BVceo：基极开路 发射极集电极间

3、能承受的最高反向电压IVBVeboIVBVcboIVBVceolBVebo，一般情况下eb结正偏，20V以内。lBVcbo，由集电区的掺杂浓度决定,一般要求高。lBVc e0，与BVcbo有联系。ncbceBVBV0001BVce0小于BVcb0；IVBVeboIVBVcboIVBVceo3.4 晶体管的反向特性及基极电阻 3.4.3 基极电阻EB发射极基区发射区基极发射极发射区基极基区集电区集电极3.4 晶体管的反向特性及基极电阻 3.4.3 基极电阻Sb/2SebSelerB3rB2rB1rconxjcr=r=rb1+rb2+rb3+rbc。rb1发射区下面的基区电阻，发射区下面的基区电阻

4、，rb2发射极发射极和基极之间的电阻，和基极之间的电阻，rb3基极电极下面的电阻，基极电极下面的电阻，rbc基极电极与基极电极与半导体表面的接触电阻。半导体表面的接触电阻。3.4 晶体管的反向特性及基极电阻lrb1 2/1 2)(eBbSxIxIdxLWLdxdrebbebbR1dx薄层电阻dx薄层内消耗的功率:12)(bbdrxIdP 64R2eebBSLIP12)2(bBrIPeebbebbLSWLdxr6R1eebbjceebbbLSxLSrR2ebbbLSr6R3ebceecbcLSRLSRr22)12R2R12R(1ebcebbeebbeebbLSRLSLSLSnrSb/2SebSe

5、lerB3rB2rB1rconxjc3.4 晶体管的反向特性及基极电阻l降低基极电阻？（1）减小发射区宽度Se、基区宽度Sb、发射区与基区之间距离Seb、增加条的长度Le，但受到工艺条件的限制。（2）增加发射极条的数目n，但受到面积限制，条数越多，需要的基底面积越大。（3）降低基区方块电阻，可以通过提高基区杂质浓度，但这样会降低发射效率。)12R2R12R(1ebcebbeebbeebbLSRLSLSLSnr3.5.BJT交流小信号特性l输入电压)()(tvVtvbeBEBE集电极输出电流：)()(tiIticCC电压、电流随时间变化，使晶体管的电压、电流随时间变化，使晶体管的pn结势垒电容结

6、势垒电容和扩散电容充放电。和扩散电容充放电。发射极交流电流：发射极交流电流：TECpeneeiiii基极电流基极电流：DCTCDETECCCCrbpebiiiiiii交流情况下，同样大小的发射极电流，由于基极电交流情况下，同样大小的发射极电流，由于基极电流增大，会使得输出电流减小，电流放大系数降低。流增大，会使得输出电流减小，电流放大系数降低。3.5.BJT交流小信号特性放大系数的分贝表示：6分贝分贝/倍倍频频3dB3dBfffTf0电流放大系数（dB）02021 CBCBVECVecdIdIiiCECEVBCVbcdIdIiilg20lg20l共基极截止频率20 3dB3dBfffTf0电流放大系数（dB）02021dB3lg200ff l共射极截止频率f1ff dB3lg200l特征频率TfffT0