新成果展示：基于metalGa2O3GaN混合结构的紫外探测器的设计与制备 by ZZH.docx

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1、新成果展示：基于MetaVGa2OVGaN混合结构的日盲紫外探测器的设计与制备基于先进的TCAD半导体仿真设计平台，天津赛米卡尔科技有限公司的技术团队设计了一种具有NiZGa2O3ZGaN混合结构的日盲紫外探测器。该探测器分为GazCh吸收层和GaN传输层，如图1（八）和1(b)所示，在无光照情况下,Ga2O3吸收层中的电子浓度被NiGa2O3异质结的内建电场耗尽；如图1(b)和1(d)所示，在有紫外光照情况下，Ga2O3吸收层中产生的光生电子被内建电场推入电子迁移率更高的GaN传输层中进行输运，提高了光生载流子的传输效率。(UJ5uo三sodo=e口(Emuo三sod3=s310203040

2、50600.00.10.20.30.40.50.6Relativeposition(m)Relativeposition(m)Voltage(V)Voltage(V)COIoUd1.7x109IXIOlOIXlOI2IXIOI4IXIOl6IXlOl8图1（八）无紫外光照情况下和(C)有紫外光照情况下的电子浓度二维分布图;(b)无紫外光照情况下和(d)有紫外光照情况下的Ga2O3ZGaN异质结的能带结构图技术团队与北京铭钱半导体有限公司共同开展了相关实验研究。如图2所示，所制备的具有NiZGa2O3ZGaN混合结构的日盲紫外探测器的实验表征结果与仿真结果高度吻合，并且该器件展现了高达106的光

3、暗电流比。2.5x104OM2.0x10-4J1.5x11.0x1OY5.0x10-0.0-5.0x104UIUUZUU4UUWU1.ightpowerdensity(Wcm2)图2（八）实验测试的光暗电流密度和（b）仿真的光暗电流密度，（C）在不同光强下的实验测试和仿真的电流密度该研究成果最近被光学领域权威SCl期刊C）PtiCS1.etters（47卷6期1561-1564页）收录，文章链接：https:/d0i.0rg/l0.1364/O1.4547170明“芯”理放“芯“行天津赛米卡尔科技有限公司是国内独立从事半导体材料设计、半导体器件工艺设计、半导体器件设计的第三方分析机构助力国内半导体芯片设计行业创新发展。