三极管和MOS管驱动电路的正确用法.docx

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1、1三极管和MOS管的基本特性三极管是电流控制电流器件，用基极电流的变化控制集电极电流的变化。有NPN型三极管和PNP型三极管两种,符号如下:MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管（简称PMOS）和N沟道MoS管（简称NMOS）,符号如下（此处只讨论常用的增强型MOS管）：（a） N沟道增强型MoS管结构（b） N沟通增强型MOS （C） P沟道增强型 示意图省代表符号MOS管代表符号2三极管和MOS管的正确应用（1）NPN型三极管适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况。只要基极电压高于射极电压（此处为GND）0.7V,即发射结正偏（VBE为正），N

2、PN型三极管即可开始导通。基极用高电平驱动NPN型三极管导通（低电平时不导通）；基极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-2Ok到GND；优点是：使基极控制电平由高变低时，基极能够更快被拉低，NPN型三极管能够更快更可靠地截止；系统刚上电时，基极是确定的低电平。（2） PNP型三极管（3）适合射极接VCC集电极接负载到GND的情况。只要基极电压低于射极电压（此处为VCe）0.7V,即发射结反偏（VBE为负），PNP型三极管即可开始导通。基极用低电平驱动PNP型三极管导通（高电平时不导通）；基极除限流电阻外，更优的设计是，接上拉电阻10-20k到VCC；（4）优点是：使基极控制电平由低变高

3、时，基极能够更快被拉高，PNP型三极管能够更快更可靠地截止；系统刚上电时，基极是确定的高电平。（5）所以，如上所述：对NPN三极管来说，最优的设计是，负载R12接在集电极和VCC之间。不够周到的设计是，负载R12接在射极和GND之间。对PNP三极管来说，最优的设计是，负载R14接在集电极和GND之间。不够周到的设计是，负载R14接在发射极和VCC之间。这样，就可以避免负载的变化被耦合到控制端。从电流的方向可以明显看出。（3） PMOS适合源极接VCC漏极接负载到GND的情况。只要栅极电压低于源极电压（此处为VCC）超过Vth（即VgS超过-Vth）,PVOS即可开始导通。栅极用低电平驱动PMO

4、S导通（高电平时不导通）；栅极除限流电阻外，更优的设计是，接上拉电阻10-2Ok到VCC,使栅极控制电平由低变高时，栅极能够更快被拉高，PMOS能够更快更可靠地截止。（4） NMOS适合源极接GND漏极接负载到VCC的情况。只要栅极电压高于源极电压（此处为GND）超过Vth（即VgS超过Vth）,NMOS即可开始导通。栅极用高电平驱动NMOS导通（低电平时不导通）；栅极除限流电阻外，更优的设计是，接下拉电阻10-2Ok到GND,使栅极控制电平由高变低时，栅极能够更快被拉低，NMOS能够更快更可靠地截止。所以，如上所述：对PMOS来说，最优的设计是，负载R16接在漏极和GND之间。不够周到的设计是，负载R16接在源极和VCC之间。对NMOS来说，最优的设计是，负载R18接在漏极和VCC之间。不够周到的设计是，负载R18接在源极和GND之间。3设计原则为避免负载的变化被耦合到控制端（基极Tb或栅极VgS）的精密逻辑器件（如MeU）中，负载应接在集电极或漏极。