硅衬底蓝光小功率发光二极管芯片详细规范_SJT11867-2022.docx

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1、ICS31.080CCSL53中华人民共和国电子行业标准SJ/T118672022硅衬底蓝光小功率发光二极管芯片详细规范Detailspecificationforlowpowerbluelight-emittingdiodechipsonsiliconsubstrate2023-01-01 实施2022To-20发布中华人民共和国工业和信息化部发布IIIIV方法. .检验分类 批的组成 重新提交 筛选. 鉴定检验总则 绝对最大 材料、结 外观.光电环 电外观X 光 环 电耐 静电敏屈术语和定义要求4.1 , 4.24.3 ；4.44.54.64.74.855555555检验1. 1L 2L

2、3i.4i.5.61.7i.8检验规则.66666234511112 22 22 23 33 33 34 444 445 55前言引言范围规范性引用文件6.6 质量一致性检验56.7 样品的处理76.8 不合格76.9 检验记录77标志、包装、运输、储存77.1 标志77.2 包装87.3 运输87.4 储存8附录A（规范性）硅衬底蓝光小功率LED芯片的外观检验9,X,I刖百本文件按照GB/T1.1-2020标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则的规定起草。本文件是LED芯片系列标准的一个部分，该系列已出版了以下几个部分：GB/T 363562018GB/T 363572018功率

3、半导体发光二极管芯片技术规范；中功率半导体发光二极管芯片技术规范;请注意本文件的某些内容可能涉 本文件由中华人民共和国 本文件由中国电子技7SJ/T 114862015小功率LED芯片技术规范。构不承担识别专利的责任。斌、陈赤李农、；明。平、刘志刚、 龙、王立、刘术有督检验、黄涛、次、黄建军、屠孟方司、中节能晶和科技有公司、TCL度门市产品本文件起草单位: 限公司、南昌硅基 圳市长方集团股 洛普股份有限Z 限公司、深圳 普视讯科技VF 会、南昌二 品牌发展本文 洪震、成圳市新光台电子科技股份有限公司WA电子技术有限公司、利亚德光电股份有吸份有限公司、N_E琼、王光绪、院、江西省晶能半导体有 汽

4、车照明有限公司、深 :工程有限公司、南京 3幡曼光电科技股份有 t傀有限公司、深圳蓝 I国光学光电子协 恺高新区LED硅衬底LED芯片系列详细规范规定了硅衬底LED系列芯片的技术要求、检验方法、检验规则等,为硅衬底LED芯片产品的测试、评价等提供适当的依据。硅衬底蓝光小功率发光二极管芯片详细规范是LED芯片系列标准的一个，该系列主要规定了硅村底蓝光功率发光二极管芯片、硅衬底白光功率发光二极管芯片和硅衬底蓝光小功率发光二极管芯片的基本额定值和特性、测试方法、质量保证规定等内容，该系列标准包括： 硅衬底蓝光小功率发光二极管芯片详细规范； 硅村底白光功率发光二极管芯片详细规范； 硅衬底蓝光功率发光二

5、极管芯片详细规范。硅衬底蓝光小功率发光二极管芯片详细规范1范围本文件规定了硅衬底蓝光小功率发光二极管芯片的技术要求、检验方法、检验规则和标志、包装、运输和储存。本文件适用于硅衬底蓝光小功率发光二极管芯片（以下简称“芯片”）。2规范性引用文件6度奉细规范小3术语:2115 界SJ/T4要求4.1总则6-2015的要求不一2423.2 4589.493494.2绝对最大额定值18耕1i。9O(J1015钮法下列文件中的内容通过文 仅该日期对应的版本适片的条款。其中,注口期的引用文件, 括所有的修改单）适用于本文件。GBrr :GB/T， GBZT GB/T GB/TSJ/T 1 SJ/T SJ/T

6、 SJ/T芯片应符合弓 致时，应以本文件验第2部分：试验方法学导体器件笫10部分：分立器件和集芯片的绝对最大额定值见浓困气候试验方法第一部分题第22部分:E光二极管芯片测试方法僦翻砂率发光二极管序号参数单位符号数值最小值最大值1贮存温度仆-40852工作环境温度Tamb-40853焊接温度7d.一2004反向电压VVk一85环境温度为25P下的直流正向电流mAh756环境温度为25C下的峰值正向电流（规定的脉冲条件下）mIf-M一1001.1.1 3材料、结构和工艺1.1.2 材料芯片按SJ“114862015中的规定，芯片发光材料是在硅衬底上外延生长的GaN材料。1.1.3 外形尺寸芯片外形

7、为正方形，尺寸见附录A。1.1.4 键合区键合区的大小、位跣见附录A。4.4外观芯片外观质量见附录A04.5光电特性芯片的光电特性参数见表2。表2光电特性参数序号特性参数单位符号条件除非另有规定Jb=25数值最小值最大值1正向电压VVrfr=20m2.83.62反向电流AZr%=8V13发光强度medvK20mA304主波长nmfr=20mA4454754.6环境适应性4.6.1键合强度将芯片固定在合格的封装支架上，采用热压焊或超声焊的方式进行键合后进行键合拉力试验，用于键合的铝线直径为1.25mil,金线直径为0.8mil1mil,键合拉力应符合表5的规定。4.6.2剪切强度将芯片固定在合格

8、的封装支架上，进行剪切力试验，芯片剪切强度符合GB/T4937.19的规定，金球剪切强度符合GB4937.222018的规定。4. 6.3温度循环将芯片进行封装，按GB/T2423.222012的规定，在高温85P保持30min和低温-40OC保持30min的条件进行200个周期循环试验后，次性能参数满足表6的要求。4.7 电耐久性将芯片固定在合格的封装支架上，采用热压焊或超声焊的方式键合引线，按GB4589.1-2006的3.10.2的规定，加电工作168h后，其性能参数满足表5的要求，加电工作Io(X)h后，其性能参数满足表6的规定。4.8 静电敏感电压芯片进行人体模式静电敏感电压试验后，

9、其性能参数应满足表2的要求。5检验方法5.1 测试条件5.1.1 标准大气条件除另有规定外，所有的试验和恢发应在标准大气条件下进行:a）温度：25+5?b）相对湿度：45%75%；c）气压：86kPa106kPa。5.1.2 加电工作条件按GB/T 4937. 1-2006规定的条件5.2试验条件和方法应按 SJ/T 113992009 200 mm；5.3结构与5. 3.20倍50精度符合要求5.4外观按SJ5.5光电特在垂 的量具测5. 3. 1 外使用按 SJ/T 11394 -2009 中按GB/T4937.11.1.1 定进行：a）探针台b）表面木c）表面5.5.1通则除另有规定外Z

10、I测试条件下进行。5.5.2正向电压5.5.3反向电流按SJ/T11394-2009中规定的方法1003。5.5.4 发光强度按SJ/T113992009中6.1规定的方法。5.5.5 主波长按SJ/T113942009中规定的方法40035.6环境适应性5.6.1键合强度将芯片固定在合格的封装支架,然后在150OC下烘烤L5h2.5h,后采用热压焊的方式进行键合，金球键合时温度为160P,键合压力30g70g,键合时间8ms12ms,键合拉力试验按GB4937.222018的规定进行。5.6.2剪切强度按GB4937.192018的规定的方法进行芯片剪切强度试验，按GB/T4937.2220

11、18的规定的方法进行金球剪切强度试验。5. 6.3温度循环对芯片采取必要的措施，在-40OC保持30min,升温40min至85并保持30min,后降温15min至-40,循环200个周期，温度循环试验按GBZT2423.222012的规定进行。5.7 电耐久性将芯片粘结在合格的封装管壳底座上，键合引线，采取必要的防救化措施，按照SMT11400-2009附录A使芯片形成导电和导热通路。施加本文件规定的电流持续通电，其通电时间按GB/T4589.12006的3.10.2中168h和100Oh的规定。5.8 静电敏感电压按SOT11394-2009规定的方法6001进行人体模式静电放电敏感度分级

12、试验。6检验规则1.1 通则芯片的检验规则应符合SJ/T11486-2015中的第6章检验规则和本文件的规定。1.2 检骗分类本文件规定的检验分为：a）筛选（见6.4）；b）鉴定检验（见6.5）；c）质量一致性检验（见6.6）。1.3 批的组成一个检验批由同时提交检验的一个或多个晶片批中同一型号的芯片组成。每个晶片批应给定一个能追溯到所有晶片加工步骤的识别代码。6 .3.1晶圆批从晶圆加工开始经受同一组工艺过程的晶圆构成一个晶圆批次。每个晶圆批次应给定一个能追溯到所有晶圆加工步骤的识别代码。7 .3.2检验批一个检验批由同时提交检验的一个或多个晶圆批中同一型号的芯片蛆成。一个检验批由同时提交检

13、验的一个或多个晶片批中同一型号的芯片组成。每个晶片批应给定一个能追溯到所有晶片加工步骤的识别代码。6.4 抽样鉴定枪验和质量一致性检验的抽样应按本文件的6.7和6.8规定进行。6.5 重新提交当提交质量一致性检验的任一检验批不符合要求时，应进行失效分析并确定失效机理.如确认该失效是可以通过对整批晶圆的芯片重新筛选而有效剔除的缺陷；或者该失效并不反映产品具有基本设计或基本生产工艺问题的缺陷，则允许对该分组采用加严检验（按双倍样品量及合格判定数为零的方案）的方法重新提交一次.重新提交的批不得与其他的批相混。如果失效分析表明失效是由于基本工艺程序不良、基本设计缺陷或是无法通过筛选剔除的缺陷，则该批不得重新提交。6.6 筛选在提交鉴定检验和质量一致性检验前，检验批的全部芯片应按表3的规定进行筛选，筛选可在晶圆上进行,对不符合要求的芯片进行标识,芯片分离时剔除不合格品剔除的芯片不能作为合格产品交货。该枪验执行GBfT4589.12006中的2.7的规定.表3筛选序号检验或试验方法章条号条件抽样方案I目检5.35.4按SJ/114862015附录B100%2特性测试正向电压作反向电流/R发光强度/V主波长5.5.25.5.35.5.45.5.5加=20mAFk=8Vfr=20mAZf=20mA100%3静电敏感电压5.81200V(HBM)100%6.7鉴定检验