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1、材*4报,20xx.xx(xx):xxxxxxxxDOI:10.11896cldb.xxxxxxxhttp:/WWW.mater-jft CLDBl: 研先怆文目写作要求 按住Ctrl并 点击以访问)坟章中文题目|张三2,李四6,王五I,赵六:1中国科学院微电子研究所微电子仪器设备研究中心,北京I(X)O292北京交通大学理学院,北京IOoo443中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术曳点实验室,北京Iooo294中国科学院大学,北京101407点击以访问)I石墨烯!具有高栽流子t移率、高的热导率、高的力学强度等独特性能,可应用于端电子器件、生物传一一批注CLDB2):F九论文撞要与求,:
2、按住CtrI并感落、热料电池、储能器件等,在许多领域拥有广闭的发展前景。如何聆秽得到少残胶、无破损的石墨炸是其在电子器件中应用必须解决的问题。常规的基于铜刻蚀法的石墨炸转移技术存在因聚甲基丙炸酸甲酯(PMMA)溶解不彻底、残留在石墨饰表面而造成污染的不足。有娶于此.本工作提出了PMMA/PVA双支撑腰辅助辆刻蚀法,即在辆刻蚀法中引入高水溶性的聚乙炸醇(PVA,醇解度98%)作为高强度PMMA和石基悻之间的阻隔层,构成双支撑膜。光学显微镜(OM).拉曼(Raman)光谱及电学性能测试的结果表明,该方法转移得到的石墨烯残胶少、表面洁净,具有高的结晶挣性,并且其背栅场效应晶体管(BGFET)表现出良
3、好的截流子迁移率。此外,该方法操作简便,同时还是一种潜在的用于多种二维材料转移的普适技术。批注(CLDB3: 关词写作吴求,拉住Ctrt并点击以访 问批注CLDB4):1)若第一作者为硕士或他工研究生.必 须以导师作为通信作者2)文章可以有共同第一作者(可在首页页脚处用中文 加以说明)3)通信作者原则上不超过两位批注A5:中图分类号应至少细化到大类Fffj 2位数字 符,例如TB304、TB34、0469等:查询网站,按住 CIIi并点击以访问)批注CLDB6:请在页脚处给出基金项H信息(中英赧T批注CLDB7:姓氏的每个字母都要大写(注通:在稿件 其他地方,姓氏只需首字母大写),名只有首字母
4、需大 写。外籍人士亦采用姓前名后的顺序批注CLDB8):可中文不同,英文的单位应遵循由小到大 的顺序,先学院,再学校陕H石黑烯转移聚乙烯醉(PVA)残胶铜刻蚀法聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)支撑膜港借作嘛赵六,XXXXXXXXXXXXXXXX中国分类号,文献标织码AIITitleofYourArticleZHANGSanL%LlSiBWANGWulZHAOLiuIM记roclcctronicInStrUmCntandEqUiPmCntRCSCarChCcntcrJnMituicOfMicroelectronics.ChineSCACadCmyOfSCiCnCcs,Beijing100029.Ch
5、ina2CollegeofScience.BeijingJiaotongUnivcreity.Beijing100044.China3KeyLaboratoryofMicroelectronicsDevicesandIntegratedTechnology.InstituteofMicroelectronics.ChineseAcademyofSciences.Beijing1029.China4UniversityofChincwAcademyofSciences.BCijing101407.China批注M9:英文摘要的文意应与中文大致相司(但不是 机械翻译中文)IGraPhendhasb
6、eenregardedasaPrOmiSingmalerialWithWideapplicationsinmicroelecironicdevices,biosensors,fuelcellsandenergystoragedevicesowingtoitsuniqueproperties,suchashighcarriermobility,highthermalconductivityandhighmechanicalstrength.Howtotransfergrapheneontorelevantsubstrateswhileminimisingresinresiduesandcrack
7、sisacrucialpointforfabricatingelectronicdevicesusinggraphene.Theconventionalgraphenetransfertechnologybasedoncopperetchingmethodhasbeenplaguedbythedefectofsurfacepollution请访问期刊网站以获取该文的补充信息(SupplcmcntanInformation)基金项目:国家自然科学基金(XXXXXXXX):国家自然科学基金青年基金(XXXXXXXX)ThisworkwasImanciallysupportedbytheNatura
8、lScienceFoundationofChina(XXXXXXXX).theNationalNaturalScienceFoundationYouthFundofChina(XXXXXXXX).resultingfromtheunresolvedandremainedPMMA.Wchereinproposedanimprovedcopperetchingmethod,i.c.PMMA/PVAdualsupportmembranesmethod,byindroducingalayerofpolyvinylalcohol(PVA,98%alcoholysis)withhighwatersolub
9、ilitytoserveasthebarrierlayerbetweenPMMA(providinghighstrength)andgraphene.Accordingtotheresultsofopticalmicroscopy(OM),Ramanspectroscopyandelectricalpropertiesmeasurement,thetransferredgraphenewithlessresidual,cleansurface,highCryStallinityandsatisfactorybackgatefieldeffecttransistor(BGFET)carrierm
10、obilitycanbeobtainedthroughthisimprovedcopperetchingmethod.Moreover,thismethodalsohastheadvantagesofbothsimpleoperationandpotentialuniversalityforthetransferofothertwo-dimensionalmaterials.Keywords:graphenetransfer,polyvinylalcohol(PVA),resinresidue,copperetchingmethod,polymethylmethacr)late(PMMA).s
11、upportmembraneO引言石册烯系2004年由英国照沏斯特大学Geim教授和NOVOSelOV博士领导的课题组采用机械剥离法首次获得,它是一种由sp2杂化碳原子紧密堆砌而成的单层.二维蜂窝状晶体材料。高热导率、高力学强度、高栽流子迁移率等物理性能ZL使得石弼烯在导电油墨、防腐涂料、散热材料、锂电池、超级电容等刀的研究中占据了重要地位,在生物技术、新能源以及航空航天等多个领域展现出巨大的应用前景,被誉为“二十一世纪材料之王”。批注(MlO):英文缩略谙在文中苜次出现时应给出中文 或英文全称(SENL TEM、XRD等广泛熟知的可不给 出).一些物理量符号也同样适用批注IMl1:1)参考文
12、献在正文中须依序号由小到大标 引2)文堂各奴标题中谛勿出现参考文献标引3)前文已标引的文献.再次引用时需使用原序号,即,文末列出的每条参考文献必须是Pft -的、相互无重复的目前最为常见的石墨烯制备方法主要有剥离法、还原氧化石黑烯法、化学气相沉积法(ICVD|)、外延生1长法、化学有机合成第h耳其中剥离法得到的石墨烯面积小,n不易批量生产:还原氧化石生烯法虽然可以实现批量生产,生产成本低,但制备周期相对较长,产品存在较多缺陷:外延生长法可以得到大尺寸的、石墨烯,但石墨烯很难与基底分离例。CVD法通过高温分解含碳化合物,在Cu、Ni、Co.Ir.Ru、Pd、Pt等不同基底上进行石弼烯的生长U3,
13、可以实现石墨烯的大面积制备,并且产物质后高、层数可控,成为实验室制备而质量石墨烯的首选方法。CVD法制备的石墨烯需要转移到目标衬底表面以实现其诸多应用,常规的转移技术分为三类:以聚合物为中介的过渡转移法,直接干法和湿法转移法,大规模卷对卷转移法1-。大规模卷对卷转移法主要用于工业上房产石墨烯,需要兼顾石墨烯薄膜的质盘和转移效率以控制成本.以聚合物为中介的过渡转移法中,利用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作为辅助支撑膜的方法最为常见,是实验研究层面主流的石墨烯转批注CLDB12: 人名正文)誉格式戛求(按住Ctrl 并点击以访问)批注表示数值的范用时,只需在后个数字: 之后和单位.(注.意:百分号不
14、属单位,因此不能写-25*30%,而要写 “2530%”)2)物理量的数值与单位之间空1格;组合单位中的点 乘符号请勿省略.如cm%Vs)移方法。该方法直接在石墨烯上旋涂PMMA作为转移石墨烯的支撑膜,由于需要加热以及PMMA与铜刻蚀液之间的反应,容易形成高分子量的聚合物,其在清洗过程中很难完全去除。ILin博将转移后的石爆烯在低真空、通Ar-H2或N2-H2的条件下于2O(k4OO咽火3h,发现PMMA残胶大幅减少,但仍有部分残胶始终无法完全去除,且退火操作也十分繁琐。在实验室中还才另种常用的石墨烯转移方法,称为电化学气泡转移法,其原理是利用气泡使石墨烯与原基底分离,石墨烯只与电解液发生接触
15、,无需使用刻蚀液。与传统的铜刻蚀法相比,这种方法的优点在于电解过程快速,石墨烯薄膜也更清沽,但石墨烯转移到新基底上的过程还是需要旋涂PMMA作为辅助膜,依旧不能解决滞留在石墨烯表面的PMMA残胶问题保温温度”375400425450孕育期太25465662转变开始时间/S25465662转变终了时间/S1143163817192957Table 2 The austenite transRmnalion of the 25CrNi3Mo steel (without carburization treatment) during the isothcnal PrOCeSE at various soaking temperatures1ttAl4:文章中的表按其在正文中首次出现的先后 顺序,用1、2、3来编号;请勿将学位论文中图、& 的编号方式用在期刊投稿论文中衰格及X#题格求I按住CuI并点击以访问)批注IMlS:研究论文中的小节标题,应该是作者要阐述或说明的对 象或问题,而不是作者所做的实验例如,“双酸淀粉的XRD分析*就属于将所做实验当 成小节标题的情况,这反映出作者写论文的目的仅仅是 记录或宣告自己做了哪些;作,会导致文章无法快速和 有效地向读者传递所做工作的亮点和价值.批注CLDB16:部分图片可以