资质证书国环评证甲字第1901号华灿光电苏州有限公司LED外延片芯片项目环境影响报告书.docx

《资质证书国环评证甲字第1901号华灿光电苏州有限公司LED外延片芯片项目环境影响报告书.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《资质证书国环评证甲字第1901号华灿光电苏州有限公司LED外延片芯片项目环境影响报告书.docx（37页珍藏版）》请在优知文库上搜索。

1、资质证书编号：国环评证甲字第1901号华灿光电（苏州）有限公司LED外延片芯片项目环境影响报告书（简本）建设单位：华灿光电（苏州）有限公司评价单位：环境保护部南京环境科学研究所二。一三年一月本简本内容由环境保护部南京环境科学研究所编制，并经华灿光电（苏州）有限公司确认同意提供给环保主管部门作为华灿光电（苏州）有限公司LED外延片芯片项目环境影响评价审批受理信息公开。华灿光电（苏州）有限公司、环境保护部南京环境科学研究所对简本文本内容的真实性、与环评文件全本内容的一致性负责。前言错误!未定义书签。一、项目概况错误!未定义书签。二、建设项目周围环境现状错误!未定义书签。三、工程建设的环境影响预测及

2、拟采取的主要措施与效果错误！未定义书签。四、公众参与错误!未定义书签。五、环境影响评价结论要点错误!未定义书签。六、联系方式错误!未定义书签。前言华灿光电（苏州）有限公司LED外延片芯片项目环境影响报告书的编制已完成。按照环境影响评价公众参与暂行办法的有关规定，现将环境影响评价中的有关内容进行公示，欢迎公众参与本项目的环境保护工作。一、项目概况1、建设必要性华灿光电股份有限公司创立于2005年11月，2011年整体改制为股份有限公司。主营范围：半导体材料与器件、电子材料与器件、半导体照明设备的设计、制造、销售及进出口（不含国家禁止或限制进出口的货物或技术）。2011年公司营业收入47400万元

3、,营业利润13455万元。华灿光电（苏州）有限公司是由华灿光电股份有限公司投资设立的全资子公司，公司位于江苏省苏州市张家港经济技术开发区晨丰公路，成立于2012年9月。本项目由华灿光电（苏州）有限公司投资建设，项目建成后正常年年产42万片高品质白光外延片、万颗LED芯片。华灿光电股份有限公司是国内领先的LED芯片供应商，本项目依托母公司技术和营销资源，具有良好的市场发展前景。目前全球LED照明市场需求量呈持续增长的趋势，应用领域越来越广，本项目的实施将巩固并提高华灿光电公司在LED芯片全球市场的占有率，实现更好的经济效益。2、工程基本信息表1.1项目基本情况项目名称LED外延片芯片项目建设地点

4、张家港经济技术开发区北区拓展区内，南临晨丰公路。建设性质新建工作制度年工作口数为350天，四班三运转制，每班工作时间8h总投资186699.2万元人民币，其中环保投资1040万元，占总投资的0.56%总占地面积总占地面积112015.2/；绿化面积14337.9k,绿化率12.8%员工人数厂内职工总人数921人本项目场址位于张家港经济技术开发区内，南至晨丰公路，北至彩虹路，东、西面为园区规划用地。项目场址位于张家港经济技术开发区，南至晨丰公路，北至彩虹路,东、西面为园区规划用地。拟建项目所在地为规划工业用地，场地基本平整到位。3、项目建设内容（1）项目组成本项目工程组成见表1.2。表1.2本项

5、目工程组成一览表工程建设名称设计能力（m2）备注贮运工程化学品库1170单层建筑。分为有机化学品库、碱类化学品库、酸类化学品库、特气库、恒温库、芯片辅料库、外延辅料库、危废暂存室，另设报警阀室。位于厂区西部。其中有机化学品库430.9存放乙醉、丙酮、异丙醇。碱类化学品库120存放KOH、NaOHo酸类化学品库172.5存放硫酸、盐酸、硝酸等。特气库112.5存放氯气、笑气、硅烷、氧气等。恒温库60存放双氧水、氨水、NH4F、光刻胶等。芯片辅料库100存放芯片生产需特殊贮存的辅料。外延辅料库80.6存放外延生产MO源及需特殊贮存辅料。危废暂存室73.5存放生产过程产生的危废等。气站供氨站375存

6、放3只IIt氨气槽车（5个车位）供氮站600设置2x50液氮储罐及气化设施供氢站600存放2辆氢气鱼雷车（6个车位）气柜间238分别位于外延片及芯片厂房一楼，存放使用中特气钢瓶。公用工程IIoKV变电站2台8000KVA,648m2位于厂区北部，二层建筑。动力间3240主要布置纯水制备间、工艺冷却水站、锅炉房、空压机房、冷冻机房、配电间、UPS间等。其中纯水制备间24m3h位于动力间。冷却塔250m3h3台2016nh冷却塔。位于动力厂房屋面。空压机房35m3min3台ZOmWmin空压机（两用一备）。位于厂区中部动力间内。冷冻机房3台制冷机（1备），单台制冷量2000RT位于动力间。锅炉房2

7、x28MW热水锅炉+4th蒸汽锅炉位于动力站一楼。天然气耗量约150万Nm3。洁净厂房通风系统8套风量总470000m3h外延厂房一楼及芯片厂房一楼和二楼（2）项目工艺流程本项目主要工艺如下:一、外延片生产工艺流程1、生产工艺流程图本项目高亮度GaN基白光LED外延片采用MOCVD设备进行生长，其主要原材料包括蓝宝石衬底片、MC）源、氨气（NH3）、浓度为200PPm的硅烷（SiH4）等。外延生长环节的工艺流程示意如下图：白光外延片外延片工艺流程图N2、H2、NH3TMGa 4N2、4、NTMGa： SiH1蓝宝石基片乙醇高纯水正胶、增粘剂显影液高纯水硫酸双氧水高纯水N2、H2.NH3TMGa

8、图Ll2、工艺流程说明（1）检验及清洗本项目采用蓝宝石单晶片作为衬底，外延生长前首先需要检验单晶片是否合格。采用显微镜检查蓝宝石基片有无瑕疵缺陷及杂质。检验合格的基片入库，在进行下步PSS工艺前送至芯片厂房清洗，清洗过程将基片按要求依次经过有机溶剂乙醇清洗、纯水洗,烘干后送至外延厂房进入下一工序。（2） PSS（衬底图形化）图形化衬底技术（PattemedSaPPhireSUbStrate）,简称PSS”。通过在蓝宝石LED衬底表面制作具有细微结构的图形，然后再在图形化衬底表面进行LED材料外延。蓝宝石LED衬底经过PPS加工后，会改善蓝宝石LED衬底的缺陷，由外延芯片封装出来的LED最终能有

9、效提高光提取效率。PSS包括：光刻（具体同芯片生产光刻工艺）、干法刻蚀（具体同芯片生产ICP刻蚀）。采用匀胶机在基片表面涂胶后，在曝光机的照射下将光刻版上的图形转移至基片表面上，制作初步的电极图形。使用的主要材料为光刻胶，使用的主要设备为光刻刻蚀机、匀胶机、曝光机等。然后人工用锻子将蚀刻后的基片放置于MOVCD外延炉基座上。（3）清洗：刻蚀后的基片送至芯片厂房清洗。基片进入清洗槽，将基片按要求依次经过酸洗（硫酸、双氧水）、纯水洗，烘干后送至外延厂房进入下工序。（4） MOVCD（有机金属化学气相沉积）（1） 真空：在开始外延生长之前，MOVCD外延炉要进行抽真空，可使外延生长均匀、单一。2）通

10、气：MoVCD外延炉抽真空后，向其反应室中通入氢气和氮气。3）压力温度控制然后MOVCD外延炉开始加热升温,温度至500度左右开始通入一定量的NH3,通常MOCVD外延炉的反应室压力为Ioo-400托（Torr,（TC时ImmHg）,衬底温度为500-1200oCo4）外延生长长缓冲层：因AI2O3与GaN失配非常大，因此，必须在其表面生长一层缓冲层。在一定温度（550）及压力下，通入高流速的氢气和氮气的混合气体，用N2保护、H2作载体，使三甲基线（TMGa）、三乙基钱（TEGa）和氨气反应生成GaN层，GaN缓冲层便在蓝宝石衬底片上生长。生长时间约30min,此步会有甲烷气体生成。以TMGa

11、为代表的反应方程式为：Ga(CH3)3+NH3GaN+3CH4长GaN层：炉温UO(TC左右，GaN缓冲层形成之后，同时通入氮气和氢气，生长时间约60min,此步会有甲烷气体生成。长N型：在GaN层表面生长一层约2m厚的N型GaN,此层主要为有源层，提供辐射复合电子。炉温1030C左右，用N2保护、H2作载体，使三甲基钱、氨气、硅烷(用于掺杂)反应生成GaN的N电极层，生长时间约60mino长多量子阱：生长有源区(MQW),其成分是InXGaI-XN/GaN,是主要的发光层，光强和波长主要由此层决定。炉温降低至750,用N2保护、H2作载体，使三甲基钱、三甲基锢、氨气反应生成InGaN层，生长

12、时间约4.5h,此步会有甲烷气体生成。其反应方程式为：Ga(CH3)3+In(CH3)3+2NH3InGaN+6CH4长AlGaN型：生长一层P型AIXGal-XN层，因此层Al组分较高，对载流子起到限制的作用，可明显提高发光效率。将炉温升至IoOO左右，用N2保护、H2作载体,使三甲基线、三甲基铝、氨气反应生成AlGaN层，此步会有甲烷气体生成。其反应方程式为：Ga(CH3)3+A1(CH3)3+2NH3AlGaN+6CH4长P型：生长一层P型GaN,为有源区提供空穴。炉温稍降至950,用N2保护、H2作载体，使三甲基线、二茂镁(用于掺杂)、氨气反应生成GaN的P电极层，厚度约200nm,生

13、长时间约0.6h,此步会有甲烷气体生成。整个MOCVD反应过程在富N的环境下进行，保证金属有机源完全反应。(5)降温取片：从MOVCD外延炉取出生长完成的外延片。外延材料生长时炉内温度较高，因此生长结束后需将外延片进行降温冷却。(6)检测：在常温常压下，检查外延片的量子阱以及发光性能等，合格的产品包装后入库。不合格外延片返工至工序(1)有机清洗除胶后继续加工生产。二、芯片生产工艺外延片G214.酸性废气图L2芯片工艺流程图高亮度GaN基LED芯片制造流程包括清洗、蒸镀、光刻、刻蚀、退火、PECVD.腐蚀、减薄研磨、划裂、测试、分选和表面检验等。生产流程如上图1.2所示。（1）清洗：清洗工作是在

14、不破坏外延片表面特性的前提下，有效的使用化学溶液清除外延片表面的各种残留污染物。将外延片按要求依次经过酸洗（硫酸）、双氧水洗、超纯水洗等。清洗干净后甩干并烘干后进入下一道工序。外延片酸洗、双氧水洗后送入冲洗槽用纯水冲洗，将其表面粘附的酸洗液冲洗干净。本项目冲洗槽清洗方式为使用大量高纯水对外延片进行冲洗清洁，常温。（2） N区光刻：N区光刻及刻蚀主要是在外延片上制作出N电极图形。光刻是通过光刻胶的感光性能，外延片表面涂胶后，在紫外光的照射下将光刻版上的图形转移至外延片上，最终加工成所需要的产品图形。包括涂胶、软烤、曝光、显影。1）涂胶、软烤：涂敷光刻胶之前，将洗净的外延片表面涂上附着性增强剂，可

15、增加光刻胶与基片间的粘附能力，防止显影时光刻胶图形的脱落以及防止湿法腐蚀时产生侧面腐蚀。光刻胶的涂敷是用转速和旋转时间可自由设定的匀胶机来进行的。首先，用真空吸引法将外延片吸在匀胶机的吸盘上，将具有一定粘度的光刻胶滴在基片的表面，然后以设定的转速和时间匀胶。由于离心力的作用，光刻胶在外延片表面均匀地展开，多余的光刻胶被甩掉并回收使用，获得一定厚度的光刻胶膜，光刻胶的膜厚是由光刻胶的粘度和匀胶的转速来控制。光刻胶主要是由对光与能量非常敏感的高分子聚合物组成，光刻胶直接使用外购成品，无需调胶。为了使光刻胶附着在外延片表面，涂胶后要进行软烤，在80C左右的烘箱中、惰性气体环境下烘烤1530分钟，去除光刻胶中的溶剂。光刻胶中的有机溶剂挥发成有机废气经有机废气收集系统收集处理，而光刻胶中的高分子聚合物作为涂层牢固地附着在基质的表面。2）曝光：在掩模版的遮蔽下，对光刻胶进行曝光。3）显影：