GB_T 30656-2023 碳化硅单晶抛光片.docx

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1、ICS29.045(SHXJGB中华人民共和国国家标准GBfI306562023代(UVT306562014碳化硅单晶抛光片Po1.ishednionocrysta1.1.inesi1.iconcarbidewafers2023二03二IZ发布国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会碳化硅单晶抛光片本文件规定了IH及GH碳化睢单晶抛光片的牌号及分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。本文件适用于生产电力电子器件、射频微波器件及1.ED发光器件的外是材料用碳化硅单品拊光片。2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款，其

2、中，注H期的引用文件，仪该门期时应的版本适用丁本文件：不注日期的引用文件，其奴新版本(包括所有的修改单)适用于本文件.GBT1555半导体单晶晶向测定方法GBf2828.1-2012计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQ1.)检索的逐批检验抽样iifcjGBH-6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法GBT6624硅抛光片表面坡量目测检验方法GBT13387硅及其他电子材料晶片参考面长度测成方法GBT13388班片参考面结晶学取向X射线测试方法GB.T14264半导体材料术语GBT25915.!2021沽净空及相关受控环境第1部分：按粒子浓度划分空气洁净度等级GBT2

3、6067睢片切口尺寸测试方法GBT29505GBT30866GBT30867GBT31351GBfr32188GB.T32278GBT42271GBT41765硅片平坦表面的表面粗糙度测盘方法碳化硅单晶片直径测试方法碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法碳化硅单品抛光片微管密度无损检测方法翅化保单晶衬底片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法碳化睢单晶片平整度测试方法半绝缘碳化硅单品的电眼率非接收测试方法碳化硅常品位错密度的测试方法GBT14264.GBT32278界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3.14H曜化硅4HS1.iconcarbkk4H-SiC由Si原子和C原子构成的SiC双原子层，有

4、A、B、C三种不同的堆垛方式，在20面内沿晶体OOOD方向以“ABCBABCB”序列进行周期性维垛,由此形成的碳化硅品体。&数字锹示一个周期内SK农原子层的数fitf代?般彷结构.3.26H破化硅6Hsi1.iconcarbide6H-SiC由Si原子和C原子构成的SiC双原子层,有A、B,C三种不同的堆垛方式.在1120）面内沿晶体方向以“ABCACBABCACB”序列进行周期性堆垛,由此形成的碳化硅晶体”注：覆得标-4周期内Sic双原子层的数设，Hf诔六方结构。3.3Ahexagona1.void独立于晶体单晶区的具有六角形特征的空洞，3.4*mipipc4H或611碳化硅单晶中沿C轴方向

5、延伸且径向尺寸在一微米至几卜微米范用的中空管道，3.5多型po1.ytype由同种化学成分构成的晶体，当其晶体结构中的结构单位层相同，但结的单位层之间的堆垛顺序或方式不同时，由此形成的结构上不同的变体.4号及分类4.1 牌号碳化硅单品抛光片的牌号我示应符合附录A的规定.-1.2分类4.2.1 碳化硅单晶抛光片按晶型分为IH和6H.4.2.2 碳化珪单晶拊光片按导电能力分为导电型和半绝缘型.4.2.3 砍化硅单晶抛光片按直径分为50.8mm、76.2mm,100Omm和150.Omm。4.2.4 碳化硅单晶效光片按产品质量,分为工业级（P级）、研究级（R级）和试片级级）.S技术央求5.1 AJH

6、碳化硅单品抛光片的技术参数是指在合格质盘区（FQA）内的要求.不同直径碳化硅单晶抽光片的边缘去除区见表1.1迦E烟胞也为*米直径边缘去除区50.81.076.22.0100.03.0150.03.05.2 几何碳化健单品拊无片的几何参数应符合表2的规定。2项I1.不问f1.径碳化硅单H弛光片的几何?敢要求50.8(n76.2in100.(Iin50.0n比役及允许(8整r1150.0.276.20.2100.O0.5150.00.5理度及允仃偏差Pn3302535025导电里：35025分电型：350251陇纬如50025Ffti獴型：5O02S总尔皮变化(TD)Mn1010o10局那厚度变化

7、*(1.JV)Mn1.41.4aI1.IirS(Iarp)Mn253540I5汽曲度(她对值”BM)Pn15W252S40至参有闿氏度及允许及史mI6.OI.722.0i032.52.0导电型：1154Z5副期与IMK度及允注像奥mK01.711.O1.51.f1.020切口尺寸手黜型|VSWIU切口角度.深度按图I安求注：需方如对碳化n华曲归光片的几何警教特殊姿求,由供需双方tita谈定，“网前厚度变化的测状面积为10(IT1.X1.I)III1.图1V量切口示FBJ悯口角度、涧Q呼5.3 表面取向及偏离5 .3.1暖化硅单晶拊光片的晶向为OOO1.6 .3.2碳化硅单晶撤光片表面取向的正交

8、品向偏离为；a）正晶向：0Q25;b）的品向：碳化硅单晶粒光片表面法线沿主参考面方向偏向（U20方向3.5。0.5。或4。0.5。或&+Q51。5.4 基准标记碳化哪单晶抛光片的参考面取向及切口基准轴取向应符合表3的规定.*3H直取向及切口出加晌直径m主参书面取向副咨考Ifii取向切口革族轴取向50.8平行于1101。）5（如图2a）所示Si1.fi）:沿主参考面方向XS时针健转90StC面：沿主导考面方向逆时升箕转905*76.2100.0150.0导电ShWT(IO1.O)5(初图2b所示多地球型：平行于11035-（如图1所示）(U20)Z111而H方向上IM：面”jgSiiMS2主、M

9、MK示5.5 W*碳化硅单品抛光片的电阻率应符合表4的规定.4电阻率然别电用率Ccn4H导电516H导电禁半她缥型工业SHPSt)0.0250.1RXIOj研究依（Rttt）笈0.Q280.2RXIo试片级级）0d0.2y5.6 mft碳化硅电晶抽光片的微管密度应符合表5的规定.5Mttft援1优管率度c11工业级（P级）1.研究微（RiS）2E片级(DiS)W1.o5.7 位H度工业级、导电型碳化硅单晶摘光片的位错密度应符合表6的规定.6位修密度级别导电能力位错密度cm,KfitttHTSD)基平面位的（8PD）刃位HuTED)工业级（P级）导电里100015000.81176.2m00.0

10、11f50.01150E76.2rmKCI(IE50.O11n50.8m76.2ran00.1)11T)150.00裂仪无裂技无裂位于球化硅单日,拗光片边蜂Ji资长度W2mi城计长度WIeI六方空洞尺寸4100U%且fitJiU个）符合下列要求尺水300u且数域（个）符合下列安求不举独妄求.可用而枳比例“490%&2Wd610sB1220肉眼可见划痕无肉眼可见划盆无肉眼可见划盆累计K度不大于直径.F1.致敬（条）符合下列要求W35812污物无污物无污物无污物肉眼可见凹坑尺寸100Umf1.敛量（个）符合下列要求尺寸300Uit且敛&H个）符合下列要求不安独要求可用而积比例*三期W5122030

11、5W122030崩边不应存在双以长度和径向深度MO.2nn的崩边W5个.且因版长度和径向法收W1.m）可川面枳比例足布合格疾鼠1*内,麻化成承dA指光片Si面除去六万空洞或肉眼可见凹坑烷解后的面积与Si面总面枳的比例.仅检测Si面的肉眼可见到岫和肉IH可见四帆，其他表面原HUB标检测Si面和C（IiU&n碳化硅藻晶抛光片的表面用椒曳应符合表10的规定，io我Irattft测试表而sftiareSi而石。.3CiM1.注：表面粗糙收的测试面积为IOPaXID11.6试聆方法6.1 几何叁数6.1.1 碳化硅:单品抛光片直径及允许偏差的测试按GB,，T30866规定的方法进行。6.1.2碳化硅单晶

12、抛光片厚度及允许偏差的测试郎B/T30867规定的方法进行.6.1.3 碳化硅单品他光片总厚度变化、局部厚度变化、翘曲度和弯曲度的测试按GRT32278规定的方法进行。6.1.4 碳化硅单晶地光片主参考面长度及允许偏差、副参考面长度及允许偏差的测试按GRT13387规定的方法进行.6.16碳化硅单晶抛光片切口尺寸的测试按GBrr26067规定的方法进行.6.2 表面取向及偏离碳化硅的晶枪光片表面取向及偏离的测试按GBT1555规定的方法进行。6.3 基准标记碳化群单晶抛光片参考面取向及切口基准轴取向的测试按GBT13388规定的方法进行。碳化碎晶体的衍射面及布拉格角见表I1.*11CM三KWH及角IH-SiC(OOOI)I-SiC(0006)ftiMiff1.(hkin布控临角(0)fijQ11N布拉格角()1010)16.775,(OOe6)14.8317.833，UOn)17.0921120)29.992()20)30.075,2021)35.617*网35.