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1、BGA、TAB、零件、封装及Bonding制程术语解析BGA.TAB、零件、封装及Bonding制程术语解析1,Activeparts(Devices)主动零件指主机板上的组装焊接,是芯片连接以外的另一领域塌焊法。12、Capacitance电容当两导体间有电位差存在时,其介质之中会集蓄电能设,些时将会有电容”出现。其数学表达方式C=Q/%即电容(法拉)=电量(库伦)/电压(伏特)。若两导体为平行之平板(面积A),而相距d,且该物质之介质常数(DieIeClrieCOnStant)为e时,则C=Qd.故知当A、d不变时,介质常数愈低,则其间所出现的电容也将愈小。13、CaSIaIlation堡
2、型集成电路器是一种无引脚大型芯片(V1.SD的梵质封装体,可利用其各垛口中的金属垫与对应板面上的焊垫进行焊接。此种堡型IC较少用于一般性商用IC五连,才能发挥显像的功能。目前各类大型IC仍广采QFP封装方式,故须先将QFP安装在PCB上,然后再用导电胶(如Ag/Pd膏、Ag膏、单向导电胶等)与玻璃电路板互连结合。新开故的做法是把结合的外形,很像海鸥展翅的样子,故名鸥奥脚。其外形尺寸目前在JEDEC的MS-012及-013规范E,已经完成标准化。35IntegratedCircuil(IC)集成电路器在多层次的同一薄片基材上(硅材),布置很多微小的电子组件(如电阻、电容、半导体、二极管、晶体管等
3、),以及各种微小的互连(InterConneCtion)导体线路等,所集合而成的综合性主动零件,简称为1.C-36、J-1.eadJ型接脚是P1.CC(Plastic1.eadedChipCarrier)”塑料晶(芯)片载体”(即V1.SI)的标准接脚方式,由于这种双面接脚或四而脚接之中大型表面黏装组件,具有相当节约板子的面积及焊后简洁清洗的优点,Jl未焊装前各引脚强度也甚良好不易变形,比另一种吗我接脚(GUllWing1.ead)法更简洁维持共面性(Coplaniirity),1.l成为高脚数SMD在封装(Packaging)及组装(Assembly)上的最佳方式。37、1.ead引脚,接脚
4、电子组件欲在电路板上生根组装时,必需具有各式引脚而用以完成焊接与互连的工作。早期的引脚多采插孔焊接式,近年来由于组装密度的增加,而渐改成表面黏装式(SMD)的贴焊引脚。且亦有无引脚”却以零件封装体上特定的焊点,进行表面黏焊者,是为1.CadlCSS零件。38、KnownGoodDie(KGD)已知之良好芯片IC之芯片可称为ChiP或Die,完工的晶圆(Wacer)上有很多芯片存在,其等品质有好有坏,接着经过寿命试验后(Burn-inTeSl亦称老化试验),其已知电性良好的芯片称为KGDe不过KGD的定义相当分歧,即使同一公司对不同产品或同产品乂有不同客户时,其定义也都难以样。一种代表性说法是:
5、某种芯片经老化与电测后而有良好的电性品侦,续经封装与组装之量产一年以上,仍能维持其良率在99.5%以上者,这种芯片方可称KGDJ。39、1.eadFrame脚架各种有密封主体及多只引脚的电了组件,如集成电路器(IC),网状电阻器或简沾的二极管:极体等,其主体与各引脚在封装前所短暂固定的金属架,称成1.eadFrame。此词亦被称为定架或脚架。其封装过程是招中心部份的芯片(Die,或ChiP芯片),以其背面的金层或银层,利用高温熔接法与脚架中心的镀金层加以固定,称为DiCBond.再另金线或铝线从已坚固的芯片与各引脚之间予以打线连通,称为1.CadBond.然后再将整个主体以塑料或陶兖予以封牢,
6、并剪去脚架外植,及进一步弯脚成形,即可得到所需的组件。故如脚架在电子封装工业中占很全要的地位。其合金材料常用者有Kovar,Alloy42以及磷百铜等,其成形的方式有模具冲切法及化学蚀刻法等。40、1.eadPitCh脚距指零件各种引脚中心线间的距离。早期插孔装均为100lBil的标准脚距,现密集组装SMT的QFP脚距,由起初的5011il一再紧缩,经25mik20mil、I6mik12.5mil至9.8mil等。一股认为脚距在25mil(O.653mm)以卜.者即称为密距(FinePitch)o41、MultiChipModule(MCM)多芯片(芯片)模块这是从90年才起先发展的另一种微电
7、子产品,类似目前小型电路板的IC卡或Smart卡等。不过MCN所不同者,是把各种尚未封装成体的IC,以“裸体芯片*(BareChiPS)方式,干脆用传统DieBond或新式的FlipChip或TAB之方式,组装在电路板上。犹如早期在板子上干脆装一枚芯片的电子表笔那样,还需打线及封胶,称为CoB(ChiPOnBond)做法。但如今的MCM却困难了很多,不仅在多层板上装有多枚芯片,且干脆以凸块”结合而不再打线。是一种高层次(HighEnd)的微电子组装。VCM的定义是仅在小板面上,进行裸体芯片无需打线的干脆组装,其芯片所占全板面积在70%以上.这种典型的MCM共有三种型式即(目前看来以D型最具潜力
8、):MCM-1.:系仍采纳PCB各种材历的基板(1.aminaIeS),其制造设偌及方法也与PCB完全相同,只是较为轻薄短小而已。目前国内能做IC卡,或宽在5mil孔径到10mil者,将可生产此类MCMo但因需打芯片及打线或反扣焊接的美系,致使用镀金凸块”(Bump)的纯度须达99.99%,且面积更小到I微米见方,此点则比较困难.MCM-C:基材已改用混成电路(Hybrid)的陶究板(Ceramic),是一种瓷质的多层板(M1.C),其线路与Hybrid类似,皆用厚膜印刷法的金膏或钳膏银标等做成线路,芯片的组装也采纳反扣漫晶法。MCM-D:其线路层及介质层的多层结构,是采纳蒸着方式(DCPOS
9、ited)的薄膜法,或GreCnTaPe的线路转移法,将导体及介质逐次迭层在瓷明或高分子质的底材上,而成为多展板的组合,此种MCM-D为:.种中之最精密者。42、O1.B(Outer1.eadBOnd)外引脚结合是卷带自幼结合”TAB(TapeAutomaticBOndinR)技术中的一个制程站是指TAB组合体外用四面对外的引脚,可分别与电路板上所对应的焊垫进行焊接,称为外引脚结合这种TAB组合体亦另有四面对内的引脚,是做为向内连接集成电路芯片(ChiP或称芯片)用的,称为内引脚接合(I1.B),事实上内脚与外脚原来就是一体。故知T.AB技术,简洁的说就是把四面密集的内外接脚当成桥梁,而以O1
10、.B方式把困难的IC芯片半成品,干脆结合在电路板上,省去传统IC事先封装的麻烦。43、PaCkaging封装,构装此词筒洁的说是指各种电子零件,完成其密封及成5T的系列制程而言。但若扩大延长其意义时,那幺直到大型计算机的完工上市前,凡各种制造工作都可称之为InterconncetedPackaging互连构装若将电子王国分成很多U次的阶级制度时(HierarChy),则电子组装或构装的各种等级,按规模从小到大将有:ChiP(芯片、芯片制造),ChiPCa门iur(集成电路器之单独成品封装),Card(小里电路板之组装),及BOard(正规电路板之组装)等四级,再加系统构装”则共有五级。44Pa
11、ssiveDeViCe(COmPonenl)被动组件(零件)是指一些电阻器(ReSiSlor)、电容器(CaPaCitxr),或电感器(InCUCIor)等零件。当其等被施加电子讯号时,仍一本初史而不变更其基本特性者,谓之被动零件”:相对的另有主动零件(ACtiVeDeVice),如晶体管(TraniStors)、二极管(DiodeS)或电子管(ElectronTube)等。45、PhoIOmHSk光罩这是微电子工业所用的术语,是指半导体晶圆(Wafer)在感光成像时所用的玻璃底片,其暗区之遮光剂可能是般底片的乳胶,也可能是极薄的金属膜(如格)。此种光罩可用在涂有光阻剂的硅晶圆片面上进行成像,
12、其做法与PCB很相像,只是线路宽度更缩细至微米(12um)级,甚至次微米级(0.5Pm)的精度,比电路板上最细的线还要小100倍。(1Inil=25.4Um)。46、PinGridArray(PGA)矩阵式针脚封装是指一种困难的封装体,其反面是采矩阵式格点之针状直立接脚,能分别插装在电路板之通孔中。正面则有中间下陷之多层式芯片封装互连区,比起双排插脚封装体(DIP)更能布置较多的I/OPins。附图即为其示意及实物图。47、PoPCornEffect爆米花效应原指以塑料外体所封装的IC,因其芯片安装所用的银膏会吸水,一旦未加防他而径行封牢塑体后,在下游组装焊接遭受高温时,其水分将因汽化压力而造
13、成封体的爆裂,同时还会发出有如爆米花般的声响,故而得名。近来非常盛行P-BGA的封装组件,不但其中银胶会吸水,I1.连敕板之BT基材也会吸水,管理不乩时也常出现爆米花现象.48、POtting铸封,模封指将简洁变形受损,或必需隔绝的各种电子组装体,先置于特定的模具或凹穴中,以液态的树脂加以浇注灌满,待硬化后即可将线路组体固封在内,并可将其中空隙皆予以填满,以做为隔绝性的爱护,如TAB电路、集成电路,或其它电路组件等之封装,即可采纳Potting法.Potting与EnCaPSUlating很类似,但前者更强调固封之内部不行出现空洞(VoidS)的缺陷。49、PowerSUPPIy的芯片(Chi
14、P),不再先进行传统封装成为完整的个体,而改用TAB载体,干脆将未封芯片孤装在板面上。即采聚亚能胺(P。IyimidC)之软质卷带,及所附铜箔蚀成的内外引脚当成我体,让大型芯片先结合在内引脚上。经自动测试后再以外引脚”对电路板面进行结合而完成组装。这种将封装及组装合而为一的新式构装法,即称为TAB法。此TAB法不但可节约IC事前封装的成本,I1.对300脚以上的多脚V1.S1,在其采行SMT组装而困难重重之际,TAB将是多脚大零件组装的新希里(详见电路板信息杂志第66期之专文)。63、ThermocompressionBOnding热压结合是IC的一种封装方法,即将很细的金线或铝线,以加温加压
15、的方式将其等两线端分别结合在芯片(芯片)的各电极点与脚架(1.oadFralnC)各对应的内脚匕完成其功能的结合,称为“热压结合,简称TCBond.64、ThermosonicBonding热超音波结合指集成电路器中,其芯片与引脚间打线结合”的-种方法。即利用加热与超音波两种能量合并进行,谓之ThennosonicBonding.简称TSBond.65、ThinSmallOutlinePackange(TSOP)薄小型集成电路器小型两侧外伸鸥翼脚之1C”(SOIC),其脚数的约2048脚,含脚在内之宽度612mm,脚距0.5Ini1.若用于PCMClA或其它手执型电子产品时,则还要进一步将厚度
16、减薄半,称为TSOP。此种乂薄乂小的双排脚IC可分为两型:TypeI是从两短边向外伸脚,TypeH是从两长边向外伸脚.,66、Three-1.ayerCarrier三层式载体这是指卷带自动结合(TAB)式芯片载体”的基材结构情形,由薄片状之树脂u(通常用聚亚醯胺之薄膜)、铜箔,及居r其间的接着剂必等三U所共同组成,故称为Three-1.ayerCarrier,相对有“两层式载体”,即除掉中间接着剂层的TAB产品。67、TranSfCrBUmP移用式突块,转移式突块卷带自动结合式的芯片载体,其内引脚与芯片之结合,必需要在芯片各定点处,先做上所需的焊锡突块或黄金的突块,当成结合点与导电点。其做法之一就是在其它我体上先备妥突块,于进行芯片结合前再将突块转移到各内脚上,以便接着与芯片完成结合。