材料合成与制备-试卷与答案.docx

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1、考试科目：材料合成与制备1.（单选题）下列关于自蔓延高温合成技术说法错误的是（）（本题2.O分）A.SHS能产生高温,产品纯度高,反应转化率接近100%oB.扩大生产规模简单,从实验室走向工业生产所需的时间短C. SHS技术在燃烧过程中,材料经历了很大的温度变化,非常高的加热和冷却速率,使生成物中缺陷和非平衡相比较集中，因此此技术产物比用传统方法制造的产物更难烧结。D. SHS燃烧波为反应混合物的反应传播面。一般为:初始混合物预热区反应区后烧区最终产物。答案：C解析：无2.（单选题）下列关于单晶的制备方法哪个是错误的（）（本题2.0分）A.降温法是利用物质较大的正溶解度温度系数,在晶体生长过程

2、中逐渐降低温度,使析出的溶质不断地进行晶体生长。B.蒸发法是将溶剂不断蒸发减少,使溶液保持在过饱和状态,从而使晶体生长。C.升华法是将固体在高温区升华,蒸气在温度梯度的作用下向低温区输运结晶的一种生长晶体的方法。D.底部籽晶法是原料在用期底部高温区熔融于助熔剂中，形成饱和熔融液,在旋转搅拌作用下扩散和对流到顶部相对低温区,形成过饱和熔液,在籽晶上结晶生长晶体。P234答案：D解析：无3 .（单选题）有关薄膜的四种典型组织形态的叙述错误的是（）（本题2.0分）A.形态1型的薄膜的强度较形态T时显著提高。B.形态2型的薄膜组织形成于TsTm=0.3（0.5的温度区间。C.形态1型的组织形成于温度很

3、低（TTmO.5的温度区间。答案：A解析：无4 .（单选题）下列关于陶瓷原位凝固成型工艺的说法错误的是（）（本题2.0分）A.在原位凝固的过程中,坯体没有收缩,介质的量没有改变。B.凝胶注模成型分为水溶液凝胶注模成型和非水溶液凝胶注模成型。P139C.凝胶注模成型工艺是一种陶瓷近净尺寸成型技术。D.成型坯体组分和密度皆均匀,但有机物含量多,排除较难。答案：D解析：无5 .（单选题）关于非晶态材料的基本特征描述错误的是（）（本题2.0分）A.只存在小区间内的短程有序,在近邻和次近邻原子间的键合具有一定的规律性,而没有任何长程有序B.它的衍射花样是由较宽的晕和弥散的环组成,没有表征结晶态的任何斑点

4、和条纹,用电镜看不到晶粒,晶界晶格缺陷等形成的衍衬反差C.当温度连续升高时,在某个很窄的温区内，会发生明显的结构相变,是一种非常稳定的材料D.对高温熔液以每秒10万摄氏度的超急冷方法使其凝固，因而来不及结晶而形成的材料答案：C解析：无6 .（单选题）有关合成与制备方法错误是（）（本题2.0分）A.先驱物法是软化学方法中最简单的一类,又称前驱体法、初产物法等。其关键在于先驱物的分子设计与制备。B.溶胶-凝胶法就是用含高化学活性组分的化合物作前驱体,在液相下将这些原料均匀混合,并进行水解、缩合化学反应,形成稳定的透明溶胶体系,溶胶经陈化胶粒间缓慢聚合,形成三维空间网络结构的凝胶。C.水热（溶剂）合

5、成反应主要以界面扩散为其特点。P51D.微波加热的显著特点材料整体变热,避免材料内外温差,使材料内外的结构均匀。答案：C解析：无7 .（单选题）下列有关辉光放电的描述错误的是（）（本题2.O分）A.溅射离子来源于气体放电,主要是辉光放电。B.二级电子在飞往阳极的过程中使气体碰撞电离,这也是辉光放电持续不灭当的原因。C.正常辉光放电时，阴极表面开始,依次为:阿斯通暗区、阴极光层、阴极暗区、负辉光区、法拉第暗区、正柱区、阳极暗区和阳极光层,其中以负辉光区、法拉第暗区和正柱区为主体。D.正柱区是大量电离区,产生大量的正离子,正离子与电子复合发光。答案：D解析：无8.（单选题）下列（）图示是泡生法制备

6、晶体的方法。A（本题2.0分）答案：B解析：无9 .（单选题）下列叙述中错误的是（）（本题2.0分）A.热电偶是接触式温度传感器,与温度显示仪表配合使用。B.光学高温计是利用受热物体的单波辐射强度，即物质的单色亮度随温度升高而增长的原理来测量高温。C.化学转移反应是把所需要的沉积物质作为反应源物质，用适当的气体介质与之反应,形成一种气态化合物,这种气态化合物借助载气输运到源区温度不同的沉积区,再发生逆反应,使反应源物质重新沉积出来的反应过程。D.降低到T50C至4.2K之间称为普通制冷或普冷,降低到4.2K以下称为深度冷冻或深冷。答案：D解析：无10 .（单选题）下列关于溅射镀膜设备说法错误的

7、是（）（本题2.0分）A.射频溅射的优点是靶上发射的二次电子对基片没有辐照损伤。B.磁控溅射是在阴极靶面上建立一个环状磁场,将电子和高密度等离子体束缚在靶面附近,使正离子有效地轰击靶面,具有高速、低温、低损伤的优点。C.反应溅射是溅射镀膜时，引入某些活性反应气体来控制生成薄膜的组成与特性的方法,是一种制备介质薄膜的方法。D.直流二极溅射结果简单、控制不困难,操作时重复性好。答案：A解析：无11 .（判断题）弧熔法制备单晶时,熔化区域完全依靠表面张力和高频电磁力的支托,悬浮于多晶料棒与下方生长的单晶之间的方法。（）（本题2.O分）正确错误答案：错误解析：无12 .（判断题）微波有很强的穿透力,微

8、波加热时能深入到样品内部,其燃烧波首先从样品的表面向内部传播,最终完成微波烧结。（）（本题2.0分）正确错误答案：错误解析：无13 .（判断题）插层反应的特征是,要有一定的结构开放性,能允许外来原子或离子易于扩散进或逸出。（）（本题2.0分）正确错误答案：正确解析：无14 .（判断题）用五个9纯度的晶体Se,在氨气下（O.8mls）,球与金属质量比在10的条件下球磨5h就转变成非晶Se0（）（本题2.0分）正确错误答案：正确解析：无15 .（判断题）大块非晶合金的制备思路是均匀形核的推迟和非均匀形核的避16 .（判断题）磁控溅射可显著地提高溅射速率,可控制二次电子的运动,避免高能粒子对衬底的轰

9、击,降低衬底温度,但靶材的利用率不高,一般低于40%o（）（本题2.0分）正确错误答案：正确解析：无17 .（判断题）直接凝固成型是依靠有机单体交联形成高聚物,温度诱导絮凝成型是依靠分散剂的分散特性。（）（本题2.0分）正确错误答案：错误解析：无18 .（判断题）Au衬底上长Pb单晶膜一般是薄膜的层状生长模式,在Si表面沉积Bi、Ag一般是薄膜的层岛生长模式。（）（本题2.0分）正确错误答案：正确解析：无19 .（判断题）反应温度低于200C的固相反应为低热固相反应,反应温度介于20（600C之间的固相反应为中热固相反应,反应温度高于600C的固相反应为高热固相反应。（）（本题2.0分）20

10、.（判断题）水热与溶剂热合成的体系一般处于非理想非平衡状态,在高温高压条件下,水或其它溶剂处于亚临界或超临界状态,反应活性提高。（）（本题2.0分）正确错误答案：正确解析：无21 .（判断题）为了减少污染和节约用水,镉黄颜料的工业生产采用低热固相反应法,即镉盐和硫化钠的固态混合物在球磨机中球磨24小时。（）（本题2.0分）正确错误答案：正确解析：无22 .（判断题）时间-温度-结晶的“3T曲线”头部的顶点对应了析出晶体体积分数为10-6时的最短时间。（）（本题2.0分）正确错误答案：正确解析：无23 .（判断题）分子束外延是以蒸镀为基础的超薄层材料生长新技术,是超真24 .（判断题）沉积温度较

11、高,原子的扩散得以进行得比较充分,形态T和形态3型的生长称为高温热激活型生长。（）（本题2.0分）正确错误答案：错误解析：无25 .（判断题）陶瓷材料结构中同时存在晶相、玻璃相和气相。（）（本题2.0分）正确错误答案：正确解析：无26 .（判断题）空间无规网络模型认为非晶态材料是由“晶粒”非常小的微小晶粒所组成,认为微小晶粒内的短程序和晶态相同,但各个小晶粒的取向是散乱分布,造成长程无序，晶粒之间原子的排列方式和液态结构相似。（）（本题2.0分）正确错误答案：错误解析：无27 .（判断题）压延法制备非晶条带的方法是将熔体落入两个相对运动而导热28 .（判断题）沉积温度较高,原子的扩散得以进行得比较充分,形态T和形态3型的生长称为高温热激活型生长。（）（本题2.0分）正确错误答案：错误解析：无29 .（判断题）过冷度越大,越容易均匀成核,越不容易非均匀形核。（）（本题2.O分）正确错误答案：错误解析：无